Чем заменить wff4n60: Аналоги для 4n60 — Аналоги

Содержание

Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса PDF
IFP50N06* WFP50N06 N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А

TO-220/3

IZ70N06** N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А б/к
IZ85N06** N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А б/к
IZ75N75** N – канальный транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 А б/к
IFP75N08 WFP75N08 N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А

TO-220/3

IZ630** N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А б/к
IZ640** N – канальный транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А
б/к
IZ634** N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А б/к
IFP730 WFP730 N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А

TO-220/3

IFP740 WFP740 N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А

TO-220/3

IFP830 WFP830
N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А

TO-220/3

IFP840 WFP840 N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А

TO-220/3

IZ13N50** N – канальный транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 А б/к
IZ20N50** N – канальный транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 А б/к
IZ50N50** N – канальный транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 А б/к
IFP1N60 WFP1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

TO-220/3

IFU1N60 WFU1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

I-PAK

IFD1N60 WFD1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

D-PAK

IFU2N60 WFU2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

I-PAK

IFD2N60 WFD2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

D-PAK

IFP2N60 STP2NC60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А

TO-220/3

IFF2N60 WFF2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А TO-220FP
IFP4N60 STP4NC60 N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А

TO-220/3

IFF4N60 WFF4N60 N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А TO-220FP
IFP7N60 WFP7N60 N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А

TO-220/3

IZ10N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А б/к
IZ12N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А б/к
IZ20N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А б/к
IZ24N60**
N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А б/к
IZ28N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А б/к
IZ40N60** N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А б/к
IZ1N65** N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А б/к
IZ2N65** N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А б/к
IZ4N65** N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А б/к
IZ7N65** N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А б/к
IZ10N65** N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А б/к
IZ12N65** N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А б/к
IFP1N80 WFP1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А TO-220/3
IFU1N80 WFU1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А

I-PAK

IFD1N80 WFD1N80 N — канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом — 1 А D-PAK
IZ3N80** N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А б/к
IZ10N80** N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А б/к
IZ9N90** N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А б/к
IZ11N90** N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А б/к
IWP5NK80Z STP5NK80Z N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А TO-220/3
IZ024N IRFU024N N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом — 17 А б/к

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

 

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

 

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

20-7-2013 datasheets |

659659
111111
74AC37474AC374
7681a7681a
2001 2001
KA378R05KA378R05
223 223
d468 d468
ATE 133 N02 QCATE 133 N02 QC
117117
913913
LC75893LC75893
57E157E1
72657265
SR12w2-WDMSR12w2-WDM
13-213-2
Шии KRC110
2n41722n4172
54CTV659-1- 54CTV659-1-
312312
DM74AS374DM74AS374
74LV1174LV11
BLM18PGBLM18PG
samus-725MPsamus-725MP
BA69BA69
44
15531553
122 25 122 25
A4565DCA4565DC
apa4880apa4880
BCK-01CBCK-01C
UC1901UC1901
4741C104741C10
7343673436
5g03-jr575g03-jr57
Atlinks ES26700Atlinks ES26700
5404 5404
KA5H0165KA5H0165
B811EB811E
817ay817ay
AD9221AD9221
FM93C56ALM8FM93C56ALM8
1564и93LC65B
A6150A6150
ka2103lka2103l
93LC6593LC65
14ms03f514ms03f5
AD 365AMAD 365AM
34 34
c5129c5129
AC204AYILY 70-AAC204AYILY 70-A
1745417454
ACLPCBB1ACLPCBB1
203C203C
3202713202563202403232027132025632024032
33
14MS03F514MS03F5
E13005-1 E13005-1
2SK18992SK1899
LM78L12LM78L12
PCB2421PCB2421
PEMD2PEMD2
SAA8117HL-C1-R5SAA8117HL-C1-R5
wff4n60 wff4n60
BFN19BFN19
853-32 853-32
UPD77015GC-XXX-9UPD77015GC-XXX-9
KIA6029KIA6029
l3nm60l3nm60
TSL3301EVMTSL3301EVM
jcv8022jcv8022
STB20NM60STB20NM60
AVM-56201TNAVM-56201TN
fc08c20t16-2fc08c20t16-2
1033110331
APL5509APL5509
C4804 C4804
615c615c
38522 38522
2sd 50722sd 5072
7417474174
19 19
UPD75P308GF-3B9UPD75P308GF-3B9
2n56292n5629
-01-01
DM74S253DM74S253
413ag413ag
P-CAD P-CAD
14MS14MS
AD9281ARSAD9281ARS
117117
LM3339NLM3339N
7312 7312
80C32UFPN80C32UFPN
2690ge-r2690ge-r
Atmega 162Atmega 162
29312931
ALS321ALS321
4501agm4501agm
cx0829zcx0829z
SSS6N60SSS6N60
dg4n60dg4n60
77
40-740-7
74ls32074ls320
038 038
N74ALS174N74ALS174
an5751an5751
KA555KA555
73707370
m922m922
HS-23 HS-23
AAHBZAAHBZ
dg4n60dg4n60
STSJ2NM60STSJ2NM60
ms03f5ms03f5
AIWA-HV-N-15-449AIWA-HV-N-15-449
15611561
kn2222akn2222a
556556
2SK24882SK2488
K160K160
BZX55C4V7BZX55C4V7
E65A27E65A27
IRFS530IRFS530
5148551485
HSD 401 PLUS HSD 401 PLUS
2SA8222SA822
ACER AL1711WACER AL1711W
2sd13462sd1346
ADL-025ADL-025
P80CE559EBB-01P80CE559EBB-01
132132
226226
292172-5292172-5
N74F189N74F189
203c203c
AXK500AXK500
BASH HC1011BASH HC1011
106-10-4 106-10-4
70jw760670jw7606
stk443-530stk443-530
TDA8566Q-N1TDA8566Q-N1
70043ab70043ab
N74F64N74F64
KF402KF402
ESDA6V1W5ESDA6V1W5
VN06VN06
50kw50kw
4558D JPC 4558D JPC
ACS 1025ACS 1025
5551055510
LMX2379LMX2379
17441744
612771-1612771-1
2SK762A2SK762A
Abc016002Abc016002
8170181701
1561515615
7B 0417B 041
ejbejb
STPS16045STPS16045
257b3257b3
A1362A1362
10101010
D36561D36561
BFN37BFN37
Atmega1281-16AUAtmega1281-16AU
7413b7413b
LMV321LMV321
LC78211LC78211
54-37554-375
RGH60f5RGH60f5
W6852CW6852C
W6852CW6852C
AEB226M2GU44TAEB226M2GU44T
7mbr25u7mbr25u
-1-1
LM6221LM6221
500 500
501501
-113 -113
4511bcn4511bcn
276433gl276433gl
1554 1 1554 1
LC86E4448LC86E4448
6532665325653326529665326653256533265296
943-1c-12ds943-1c-12ds
54F10FMQB54F10FMQB
581B581B
STT1NF100STT1NF100
127 250127 250
1568315683
PDI1394P11PDI1394P11
gj RS 232 gj RS 232
74HC2674HC26
AT98AT98
LD4213LD4213
14721472
847283Wt847283Wt
558 ph7558 ph7
46AG46AG
12221222
2n60f2n60f
2SD2227S2SD2227S
228228
74ABT1665274ABT16652
55535553
2T812A2T812A
RX1214B130RX1214B130
UPA812UPA812
SN74ALVCh262721SN74ALVCh262721
FMC7G20US60FMC7G20US60
EPSON-e09a19raEPSON-e09a19ra
74ACTQ0274ACTQ02
LM4158LM4158
kc109kc109
pj976pj976
27c4001-1027c4001-10
29LV800CBXB1-70629LV800CBXB1-706
AD561-883AD561-883
IRF7451IRF7451
CL-PS7110-VC-ACL-PS7110-VC-A
KDV154KDV154
STT4NF30STT4NF30
SAA7126H-V1SAA7126H-V1
UPD7566ACS-A—XXXUPD7566ACS-A—XXX
MV8G01MV8G01
TDA8002AT-3-C2TDA8002AT-3-C2
CP2026CP2026
74LV404074LV4040
LC83015LC83015
TDA1567TDA1567
LC7883LC7883
VIPER12VIPER12
UPD75P3018GC-3B9UPD75P3018GC-3B9
74LVC1G3274LVC1G32
PJ9AAPJ9AA
1401208 1401208
A20RCA20RC
7805AF2307805AF230
33
2sd40082sd4008
SMCJ6V0SMCJ6V0
2541325413
AP4G3-110AP4G3-110
ASD29F2008-12ASD29F2008-12
78057805
7878
IRFR224IRFR224
TMP44A126TMP44A126
FL817cFL817c
C33740 C33740
STV1602STV1602
usb usb
74347434
DD
2N40412N4041
50aeandaj50aeandaj
stk403-102stk403-102
SA8281-IG-DP1SA8281-IG-DP1
575E575E
tic31ctic31c
DD
sy201nnsy201nn
22-10-0422-10-04
SML50J44SML50J44
68416841
553553
C5088 C5088
7805PL7805PL
1004110041
sy201nnsy201nn
S2818 S2818
AA41-10353AAA41-10353A
7900901DA7900901DA
945945
PMBT5551PMBT5551
615c615c
2931329313
74VCX1684174VCX16841
0981 0981
A105gA105g
LC7582LC7582

Поиск

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!


Купите сейчас, вам понравится
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓Ограниченная распродажа
✓Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта Поиск
Доступное количество Возможна отправка немедленно
Модель №.
Код ТН ВЭД 8529908100
Минимальное количество Начиная с одной детали
Атрибуты продукта
Категории
  • идентификатор продукта
    артикул
    gtin14
    тп
    Статус детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары пересылаются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация об отслеживании
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Нет в наличии
    Заказная авиапочта 15-25 дней В наличии
    ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ 5-10 дней В наличии
    Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Возврат принимается, если продукт не соответствует описанию, покупатель оплачивает стоимость обратной доставки; или сохранить товар и договориться о возврате с продавцом.

    Подробнее о защите покупок PayPal см.
    Получите заказанный товар или верните деньги.
    Включает стоимость покупки и первоначальную стоимость доставки.
    Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
    Программа защиты покупателей PayPal
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

    Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
  • Достаточный запас по вашему срочному требованию.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
  • Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточно.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, регулируемые R
    Звук специального назначения Аксессуары Реле
    Часы/хронометраж Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Диакс, Сидак Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — драйверы затворов БТИЗ Кристаллы и осцилляторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Соединители, межблочные соединения
    Логика ВЧ полевые транзисторы Конденсаторы
    Память ВЧ-транзисторы (BJT) Изоляторы
    PMIC SCR Светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Триаки

    Какова цена?

  • Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
  • Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

  • Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить столько, сколько захотите.
  • Когда вы отправите мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, примечаниями по применению, замена, даташит в pdf, инструкция, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предоставляете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6-месячную гарантию на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как нашего друга и работаем добросовестно!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, обращайтесь к нам.Мы всегда к вашим услугам!

    Кремниевый N-канальный МОП-транзистор

    ДтЛист
      Загрузить

    Кремниевый N-канальный МОП-транзистор

    Открыть как PDF
    Похожие страницы
    20140310023425 9476
    Кремниевый N-канальный МОП-транзистор
    20140717083427 6141
    20141009055330 2589
    20160307062555 8078
    Кремниевый N-канальный МОП-транзистор
    ВИНСЕМИ WFF830
    ВИНСЕМИ WFF5N60B
    ВИНСЕМИ SFF2N60
    ВИНСЕМИ WFF4N60
    ВИНСЕМИ WFF5N65B
    ВИНСЕМИ WFP840
    ВИНСЕМИ WFF8N65B
    ВИНСЕМИ WFD4N60
    ВИНСЕМИ WFF10N65
    ВИНСЕМИ WFP10N65
    ВИНСЕМИ WFF2N60B
    ВИНСЕМИ WFF8N60
    ВИНСЕМИ WFU5N60
    ВИНСЕМИ WFF8N60B
    ВИНСЕМИ WFF15N60
    ВИНСЕМИ SFP5N60

    © 2022

    О нас Закон о защите авторских прав в цифровую эпоху / GDPR Злоупотребление здесь Спецификация

    PTXB6DM — кристаллы для поверхностного монтажа

    MAAPGM0034 : 8.Усилитель 0–12 ГГц 0,5 Вт. Работа в диапазоне 8,0–12,0 ГГц Уровень насыщенной выходной мощности 0,5 Вт Переменное напряжение стока (4–10 В) Работа Самовыравнивающийся процесс MSAG MESFET Высокопроизводительный корпус с керамическим болтом Двухточечная радиостанция Метеорологический радар Бортовой радар Представляет собой упакованный корпус мощностью 0,5 Вт Усилитель со встроенными цепями смещения в керамическом корпусе с болтовым креплением, что упрощает сборку.

    UM9995 : PIN-диод. UM9995 был разработан для приложений переключения в системах МРТ, которым требуется изображение со сверхнизким магнитным полем.UM9995 также отлично подходит для установки на шунтах с хорошими характеристиками переключения от УКВ и выше. Выбор подходящих материалов для упаковки обеспечивает минимальное магнитное изображение, необходимое для применения МРТ. Представление.

    WFF4N60 : N-канальный МОП-транзистор. RDS(on) (Макс. 2,5) при VGS=10 В Заряд затвора (типичное значение 15 нКл) Улучшенные характеристики dv/dt, высокая надежность 100% лавинное тестирование Максимальный диапазон температур перехода (150°C) .Эта новейшая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, имеет высокую прочность.

    ME71ZBA : 14-контактный DIP, 5,0 В, ECL, Pecl, тактовый генератор. 14-контактный DIP, 5,0 В, ECL, PECL, тактовый генератор Генераторы тактовых импульсов ECL/PECL серии ME, 10 кГц, совместимые с дополнительными дополнительными выходами MtronPTI оставляет за собой право вносить изменения в продукты и услуги, описанные в настоящем документе, без предварительного уведомления . Никакая ответственность не принимается в результате их использования или применения.Полную информацию см. на сайте www.mtronpti.com.

    ENA1299 : Аморфный солнечный элемент. Боковые стеклянные выступы верхнего слоя (4 угла) Ширина: 0,6 макс., длина: 6,0 макс. Светоприемная сторона Примечание: Толщина стеклянной подложки Толщина модуля Все и все SANYO Semiconductor Co.,Ltd. продукты, описанные или содержащиеся в настоящем документе, в отношении «стандартного применения» предназначены для использования в качестве общего электронного оборудования (бытовая техника, аудио-видео оборудование, средства связи.

    CEFA202 : Эффективный выпрямитель с быстрым восстановлением SMD.Обратное напряжение: ~ 200 вольт Прямой ток: 2,0 ампер: идеально подходит для поверхностного монтажа. Легко подобрать и разместить. В пластиковой упаковке имеется лаборатория страховщиков. класс горючести 94В-0. Сверхбыстрое время восстановления для высокой эффективности. Встроенная защита от натяжения. Низкое прямое падение напряжения. Корпус: литой пластик JEDEC DO-214AC.

    S20K14 : Варистор с выводами. I Круглый варисторный элемент, с выводами I Покрытие: эпоксидная смола, огнестойкая V-0 I Клеммы: луженый медный провод I Широкий диапазон рабочего напряжения 11 1100 Вэфф. , глава «Варисторы с выводами: Обмотка лентой» Обозначение типа Подробная информация о системе кодирования на стр. 39, глава.

    ST4169A : Кварцевый генератор часов. Диапазон частот: Стабильность частоты: от 32 МГц до 125 МГц или 100 ppm при любых условиях: погрешность калибровки, рабочая температура, изменение входного напряжения, изменение нагрузки, старение*, удары и вибрация. *1 год при средней рабочей температуре окружающей среды от +40C до +125C Диапазон температур: Эксплуатация: Хранение: Напряжение питания: Рекомендуемый режим эксплуатации: Ток питания:.

    E4DA-WL1C : Ультразвуковые приемники, передатчики AMP FOR E4DA 3 ALARM OUT LEVEL OUT -; УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ E4DA 3 СИГНАЛИЗАЦИЯ ПО УРОВНЮ.s: Без свинца Статус: Без свинца ; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

    MC35824 : МЕШКИ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ СТАТИЧЕСКОГО ПОТРЕБЛЕНИЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ВНУТРЕННИЕ, ОТКРЫТЫЕ 5 X 8. s: Тип мешка: Защита от электростатического разряда; Материал корпуса: полиэстер/алюминий/полиэстер; Внешняя высота — имперская система: 8 дюймов; ; Внешняя высота — метрическая система: — ; Внешняя ширина — имперская: 5QUOT; ; Внешняя ширина — метрическая система: — ; Внешняя глубина — Британская: — ; Внешняя глубина — Метрика: -.

    GMC-100-R : Защита цепи предохранителя 100 мА, 250 В перем. тока, нормальное срабатывание; ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ .1А 250В СРЕДНЕЕ СТЕКЛО T-LAG. с: Ток: 100 мА; Напряжение — Номинальное: 250 В переменного тока; Упаковка/футляр: цилиндрический, 5×20 мм; Тип предохранителя: обычный; Тип крепления: Держатель ; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

    DP90FF18 : 1 А, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: ДПАК, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, ДПАК-3 ; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1000 мА.

    MAX15118EWI+ : ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕГУЛЯТОР, МАКС. ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ 1150 кГц, PBGA28. s: Конфигурация/Функция: Buck ; Тип упаковки: Другое, 2.10 X 3,56 ММ, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, WLP-28; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Вин: 5 вольт; fsw: 1150 кГц; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

    P14-10LFN-M : МЕДНЫЙ СПЛАВ, ПОКРЫТИЕ ЖЕСТЬЮ, ВИЛОЧНЫЙ КЛЕММ. s: Тип терминала: Вилочный терминал; Материал: медь; Северная Америка: 14 AWG.

    1SV245TPh5 : ДИОД УВЧ, 30 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ.

    Как заменить транзистор (BJT) на MOSFET

    В этом посте мы обсудим метод правильной замены BJT на MOSFET, не влияя на окончательный результат схемы.

    Введение

    До того, как МОП-транзисторы появились в области электроники, транзисторы или биполярные транзисторы, если быть точным, управляли силовыми схемами переключения и приложениями.

    Хотя даже транзисторы с биполярным переходом (BJT) нельзя игнорировать из-за их огромной гибкости и низкой стоимости, полевые МОП-транзисторы также, безусловно, стали чрезвычайно популярными, когда речь идет о переключении тяжелых нагрузок, а также благодаря высокой эффективности, связанной с этими компонентами.

    Несмотря на то, что эти два аналога могут выглядеть одинаково по своим функциям и стилю, эти два компонента совершенно разные по своим характеристикам и конфигурациям.

    Разница между BJT и MOSFET

    Основное различие между BJT и MOSFET заключается в том, что работа BJT зависит от тока и должна быть пропорционально увеличена с нагрузкой, тогда как MOSFET зависит от напряжения.

    Но здесь МОП-транзистор получает преимущество перед биполярным транзистором, потому что напряжением можно легко манипулировать и достигать требуемых степеней без особых проблем, в отличие от увеличения тока, означает большую мощность, которая должна быть передана, что приводит к плохой эффективности, более громоздким конфигурациям и т. д. .

    Еще одним большим преимуществом MOSFET по сравнению с BJT является его высокое входное сопротивление, что позволяет напрямую интегрировать его с любой логической ИС, независимо от того, насколько велика может быть нагрузка, коммутируемая устройством. Это преимущество также позволяет нам подключать множество полевых МОП-транзисторов параллельно даже при очень низком входном токе (в мА).

    МОП-транзисторы в основном бывают двух типов, а именно. тип режима улучшения и тип режима истощения. Тип усиления используется чаще и является преобладающим.

    МОП-транзисторы N-типа можно включить или активировать, подав определенное положительное напряжение на их затворы, в то время как для включения МОП-транзисторов P-типа требуется противоположное отрицательное напряжение.

    Базовый резистор BJT против резистора затвора MOSFET

    Как объяснялось выше, переключение базы BJT зависит от тока. Это означает, что его базовый ток должен быть увеличен пропорционально увеличению тока нагрузки коллектора.

    Это означает, что базовый резистор в BJT играет важную роль и должен быть правильно рассчитан для обеспечения оптимального включения нагрузки.

    Однако базовое напряжение для BJT не имеет большого значения, так как оно может составлять от 0,6 до 1 В для удовлетворительного переключения подключенной нагрузки.

    С полевыми МОП-транзисторами все наоборот, вы можете включить их при любом напряжении от 3 В до 15 В и токе от 1 до 5 мА.

    Следовательно, базовый резистор может иметь решающее значение для биполярного транзистора, но резистор для затвора MOSFET может быть несущественным. Тем не менее, должен быть включен резистор затвора с низким значением, просто чтобы защитить устройство от внезапных скачков напряжения и переходных процессов.

    Поскольку напряжения выше 5 В или до 12 В легко доступны для большинства цифровых и аналоговых ИС, затвор MOSFET можно быстро подключить к любому такому источнику сигнала, независимо от тока нагрузки.

    Как заменить транзистор (BJT) на MOSFET

    В целом мы можем легко заменить BJT на MOSFET, если мы позаботимся о соответствующей полярности.

    Для NPN BJT мы можем заменить BJT на правильно указанный полевой МОП-транзистор следующим образом:

    • Удалите базовый резистор из схемы, потому что обычно он нам больше не нужен с МОП-транзистором.
    • Подключите затвор N-MOSFET непосредственно к источнику напряжения активации.
    • Оставьте положительный источник питания подключенным к одной из клемм нагрузки, а другую клемму нагрузки подключите к стоку полевого МОП-транзистора.
    • Наконец, подключите исток MOSFET к земле…….ГОТОВО, вы заменили BJT на MOSFET в течение нескольких минут.

    Процедура останется такой же, как описано выше, даже если PNP BJT будет заменен P-канальным MOSFET, вам нужно будет просто поменять местами соответствующие полярности питания.