Irfd110 как проверить: Irfd110 как проверить

Содержание

Irfd110 как проверить

Сообщения без ответов Активные темы. Модераторы: Горшком назвали Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 0. Power Electronics Посвящается источникам питания вообще и сварочным источникам в частности.


Поиск данных по Вашему запросу:

Irfd110 как проверить

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить полевой транзистор тестером или мультиметром

Возможно irf вам не подходит. Или сигнал идет на постоянное открытие irf, а не в импульсом режиме. Соответственно если irf постоянно открыт, сопротивления первичной тгр очень мало и она садит блок питания. У вас же есть прибор, вы хоть Померяйте какая частота на входе irf Также у вас вроде есть еще ресанта, подкиньте оттуда irfd,ТГР.

Запросить склады. Перейти к новому.

Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность. Вход Регистрация. Что нового. Новые сообщения. Для полноценно использования нашего сайта, пожалуйста, включите JavaScript в своем браузере.

Принесли с битыми силовыми транзисторами. Дефектов не обнаружил. Установил новые транз. Это дефект?


Как работает сварочный инвертор?

Схема управления и контроля.

Часть 2.

Продолжаем изучение сварочного инвертора Telwin. В первой части было рассказано о силовой части схемы аппарата. Пришло время разобраться в управляющей части схемы.

Вот принципиальная схема управляющей части и драйвера (control and driver).

Кликните по картинке. Рисунок схемы откроется в новом окне. Так будет удобнее более детально изучить схему.

Схема управления и драйвер.

Мозгом устройства можно считать микросхему ШИМ-контроллера. Именно она управляет работой мощных транзисторов и, так сказать, задаёт темп работы преобразователя. В зависимости от модели аппарата могут использоваться микросхемы ШИМ-контроллера типа UC3845AD (Tecnica 144-164) или VIPer20A (Tecnica 141-161, 150, 152, 170, 168GE). Микросхему ШИМ-контроллера легко найти на принципиальной схеме. Ну, а что в железе?

Далее на фото показана часть платы инвертора Telwin Force 165.

Схема управления выполнена в основном из поверхностно-монтируемых элементов (SMD). Как видно на фото поверхность платы покрыта слоем защитного лака и это затрудняет считывание маркировки с микросхем и некоторых элементов. Но, несмотря на это, можно предположительно определить, что микросхема в 14-ти выводном корпусе – это микросхема LM324. Неподалёку смонтирована микросхема в 8-ми выводном планарном корпусе. Это ШИМ-контроллер (UC3845AD).

Обратимся к схеме.

По схеме микросхема ШИМ-контроллера U1 управляет работой полевого N-канального MOSFET транзистора IRFD110 (Q4). Корпус у этого полевого транзистора довольно нестандартный (HEXDIP) – внешне похож на оптопару.

С вывода стока (D) транзистора Q4 на первичную обмотку разделителного трансформатора T1 поступают прямоугольные импульсы частотой около 65 кГц. У трансформатора T1 имеется 2 вторичные обмотки (3-4 и 5-6), с которых снимаются сигналы для управления мощными ключевыми транзисторами Q5, Q8 (см. схему силовой части). Схема на транзисторах Q6, Q7 и «обвязка» этих транзисторов нужна для правильной работы ключевых транзисторов Q5, Q8. Транзисторы Q6, Q7 в основном помогают транзисторам Q5, Q8 закрываться. Как мы уже знаем из первой части, в качестве транзисторов Q5, Q8 используются либо IGBT-транзисторы, либо MOSFET. А это накладывает некоторые требования на процесс управления ими.

Стабилитроны D16, D17, D29, D30 (на 18V) защищают IGBT-транзисторы от превышения допустимого напряжения между затвором (G) и эмиттером (E).

Цепи регулировки и контроля.

На печатной плате сварочного инвертора TELWIN Force 165 можно обнаружить занятную деталь – трансформатор тока T2.

Эта деталь участвует в работе анализатора-ограничителя тока. По принципиальной схеме видно, что трансформатор тока включен в цепь первичной обмотки трансформатора T3. За счёт индукции электромагнитного поля в трансформаторе тока T2 наводится переменное напряжение. Далее это напряжение выпрямляется и ограничивается схемой на элементах D2, D4, R49, R25,R15, R9, R3, R20, R10. За счёт этой схемы контролируется сила тока в первичной обмотке трансформатора T3, а сигналы, полученные от неё, участвуют в работе «задатчика» сварочного тока и генератора импульсов на микросхеме U1.

Схема контроля напряжения сети и выходного напряжения.

Для контроля напряжения в электросети, а также выходного напряжения (OUT+, OUT-) сварочного аппарата используется схема, состоящая из элементов операционного усилителя (ОУ) на микросхеме LM324: U2A и U2B.

Элементы делителя R1, R5, R14, R19, R24, R29, R36 и R38 подключены к входному сетевому выпрямителю и служат для обнаружения завышенного или заниженного напряжения в электросети.

На элементе U2C операционного усилителя LM324 выполнен суммирующий блок. Он складывает сигналы защиты по напряжению и току. Результирующий сигнал подаётся на задающий генератор импульсов – ШИМ контроллер (UC3845AD). При аварии, схема защиты и контроля подаёт сигнал на суммирующий блок. Он в свою очередь блокирует работу генератора, а, следовательно, и всей схемы.

Выходное напряжение снимается с выходов OUT+, OUT- и через элемент гальванической развязки – оптрон ISO1 (h21817B), поступает в схему контроля (U2A, U2B). Так осуществляется отслеживание параметров выходного напряжения.

В случае если напряжение в электросети завышено или занижено, сработает компаратор на элементе U2A и подаст сигнал на транзистор Q1 (BC807) через делитель на резисторах R12, R11. Транзистор Q1 откроется и закоротит на корпус (общий провод) вход 10 элемента U2C. Это приведёт к блокировке работы микросхемы U1 – генератора задающих импульсов. Схема выключится.

Одновременно с этим, за счёт подачи напряжения с выхода 1 компаратора U2A засветится жёлтый светодиод D12 (Giallo – «жёлтый»), указывающий на то, что в схеме неисправность или есть проблемы с сетевым питанием. Светодиод D12 показан на силовой части схемы и подключен к CN1-1. Таким же образом сработает схема, если на выходе выпрямителя (OUT+, OUT-) параметры выйдут за рамки установленных. Такое может произойти, например, при неисправностях выпрямительных диодов или если выйдут из строя детали узла контроля – оптрон ISO1 или элементы его «обвязки», полупроводниковый диод D25, стабилитрон D15, резисторы R57, R52, R51, R50 и электролитический конденсатор C29.

О других элементах схемы.

Биполярный транзистор Q9 подаёт напряжение питания на микросхему ШИМ-контроллера U1 (UC3845AD). Этот транзистор управляется элементом операционного усилителя U2B. На вывод 6 U2B подаётся напряжение с делителя на резисторах R64, R39 (см. схему силовой части). Если напряжение с делителя поступает, то U2B подаёт сигнал на транзистор Q9, который открывается и подаёт напряжение на микросхему U1. Можно сказать, что эта схема участвует в запуске мощного инвертора, так как именно она подаёт питание на управляющий инвертором ШИМ-контроллер.

Ручная установка сварочного тока осуществляется переменным резистором R23.

Ручка резистора выводится на панель управления аппарата.

Также в цепи регулировки задействованы резисторы R73, R74, R21, R66, R68, R13 и конденсатор C14. Напряжение с цепи ручной регулировки поступает на 10 вывод элемента U2C суммирующего блока.

Как уже говорилось, сварочный инвертор имеет в своём составе множество регулирующих, контролирующих и защитных цепей. Все они нужны для штатной работы аппарата, а также защищают силовые элементы инвертора в случае аварийного режима.

Теперь, когда мы разобрались в работе сварочного инвертора пора рассказать о реальном примере ремонта сварочного инвертора TELWIN Force 165. Об этом читайте здесь.

Главная &raquo Мастерская &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

Качество mosfet дизайн для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. mosfet дизайн на выбор в соответствии с вашими потребностями. mosfet дизайн являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. mosfet дизайн, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

mosfet дизайн состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. mosfet дизайн охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. mosfet дизайн скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. mosfet дизайн для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. mosfet дизайн на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. mosfet дизайн для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. mosfet дизайн на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Транзисторы часть 1

код товара Наименование Описание Наличие
151334 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor BUZ 11 Технические характеристики: I 30 A; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151111 Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 170 RL1 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; P 0.35 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162537 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 N Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154103 Транзистор Infineon SPP 20 N 60 S5 Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158950 Однополярный стандартный транзистор BS 170 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
159204 Маломощный полевой транзистор NXP BSN 10A NXP Технические характеристики: I 0,175 A; U 50 V; P 0,83 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162412 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 N Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162549 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N Технические характеристики: I -12 A; U -55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162652 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3703 Технические характеристики: I 210 A; U 30 V; R 0.0028 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162679 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 024 N Технические характеристики: I 16 A; U 55 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162747 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 N Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.024 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151034 Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7000 Технические характеристики: I 0.2 A; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162408 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 Технические характеристики: I -31A; U -55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162461 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7389 Технические характеристики: I 5.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162536 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9530 N Технические характеристики: I -14 A; U -100 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162742 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N Технические характеристики: I 26 A; U 55 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162848 Транзистор International Rectifier IRLR 2905 Технические характеристики: I 42 A; U 55 V; R 0.027 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157112 Транзистор BF 245 B Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162764 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 NS Технические характеристики: I 116 A A; U 30 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153609 Транзистор питания Infineon BUZ 80 A SIE Технические характеристики: I 3 A; U 800 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164339 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Z Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164398 Транзистор International Rectifier IRLR 7843 HEXFET Технические характеристики: I 161 A; U 30 V; R 3.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157210 Транзистор BF 256 C Технические характеристики: I 0.01 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158976 Однополярный стандартный транзистор BS 107 Технические характеристики: I 0.13 A; U 200 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150929 Транзистор MOSFET ON Semiconductor BS 107 Технические характеристики: I 0.25 A; U 200 V; P 0.35 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151362 Транзистор MOSFET ST Microelectronics BUZ 11 A Технические характеристики: I 27 A; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162362 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 N Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162374 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 S Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162375 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Технические характеристики: I 169 A; U 55 V; R 0.005 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162377 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 S Технические характеристики: I 131 A; U 55 V; R 0.0053 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162399 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 4905 Технические характеристики: I -74 A; U -55 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162402 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 510 Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162409 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5305 S Технические характеристики: I -31 A; U -55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162410 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 530 N l Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0.11 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162413 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 540 NS Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162443 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7301 Технические характеристики: I 5.2 A; U 20 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162468 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 A Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162476 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7416 Технические характеристики: I -10 A; U -30 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162520 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162526 Транзистор MOSFET Vishay IRF 840 Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162527 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 A Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162530 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 LC Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162533 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9510 Технические характеристики: I -4 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162553 Транзистор MOSFET Vishay IRFB 11 N 50 A Технические характеристики: I 11 A; U 500 V; R 0.52 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162642 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 250 N Технические характеристики: I 30 A; U 200 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162659 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 460 Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162660 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 460 A Технические характеристики: I 20 A; U 500 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162751 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 V Технические характеристики: I 55 A; U 60 V; R 0.0165 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162786 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 0.006 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162795 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 530 N Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162825 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 3303 Технические характеристики: I 4.6 A; U 30 V; R 0.031 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162827 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2502 TR Технические характеристики: I 4.2 A; U 20 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162832 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6401 TR Технические характеристики: I -4.3 A; U -12 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162869 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 N HEXFET Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162873 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 N HEXFET Технические характеристики: I 27 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162877 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 N HEXFET Технические характеристики: I 41 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162879 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 44 NS HEXFET Технические характеристики: I 47 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158712 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0,008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151573 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 830 Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151583 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06 Технические характеристики: I 50 A; U 60 V; P 131 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152902 Маломощный транзистор Infineon BSS 123 Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152928 Маломощный транзистор Infineon BSS 138 N Технические характеристики: I 220 mA; U 50 V; R 3.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140252 Однополярный стандартный транзистор BSN20 Технические характеристики: I 100 mA; U 50 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162494 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7524 D 1 TRPBF Технические характеристики: I -1.7 A; U -20 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162398 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 3710 S Технические характеристики: I 57 A; U 100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162420 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 6215 S Технические характеристики: I -13 A; U 150 V; R 0.29 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162547 Транзистор MOSFETInternational Rectifier IRF 9 Z 14 Технические характеристики: I -6.7 A; U -60 V; R 0.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162555 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 18 N 50 K Технические характеристики: I 17 A; U 500 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162583 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 120 Технические характеристики: I 1.3 A; U 100 V; R 0.27 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162592 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9210 Технические характеристики: I -0.4 A; U -200 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162619 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBF 30 G Технические характеристики: I 1.9 A; U 900 V; R 3.7 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162635 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 048 N Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162662 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 9140 N Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162675 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 30 Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162678 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 014 Технические характеристики: I 7.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162689 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 224 Технические характеристики: I 3.8 A; U 250 V; R 1.1  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162712 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFS 23 Технические характеристики: I 24A; U 200 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162725 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 320 Технические характеристики: I 3.1 A; U 400 V; R 1.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162728 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 420 Технические характеристики: I 2.4 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162755 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 NS Технические характеристики: I 64 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162769 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3102 S Технические характеристики: I 61 A; U 20 V; R 0.013 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162778 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3302 S Технические характеристики: I 39 A; U 20 V; R 0.020 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162806 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 024 Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162811 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 3705 N Технические характеристики: I 52 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162818 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 44 N Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162839 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR Технические характеристики: I -2.3 A; U -20 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162849 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3103 Технические характеристики: I 55A; U 30 V; R 0.019 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162866 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 L HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 200 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156493 Однополярный транзистор Korea Electronics 2N7000A Технические характеристики: I 200 mA; U 60 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155779 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STD 5 NK 40 ZT 4 Технические характеристики: I 3 A; U 400 V; R 1.9 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164401 Транзистор International Rectifier IRLU 3717 HEXFET Технические характеристики: I 120 A; U 20 V; R 0.042 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153234 Интеллектуальный выключатель питания Infineon BTS 432 E 2-E-3062A ProFET Технические характеристики: I 11 A; U >60 V; R 38 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153029 Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 998 Технические характеристики: I 30 mA; U 12 V; P 200 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153581 Транзистор питания Infineon BUZ 31 Технические характеристики: I 13.5 A; U 200 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153608 Транзистор питания Infineon BUZ 32 Технические характеристики: I 9.5 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153369 Транзистор питания Infineon BUZ 42 Технические характеристики: I 4 A; U 500 V; R 2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153382 Транзистор питания Infineon BUZ 60 SIE Технические характеристики: I 5.5 A; U 500 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153463 Транзистор питания Infineon BUZ 73 H Технические характеристики: I 7 A; U 200 V; R 0,4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153985 Транзистор Infineon SPW 20 N 60 S5 Технические характеристики: I 20 A; U 600 V; R 0.19 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156103 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 80 NF 10 Технические характеристики: I 80 A; U 200 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
156110 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 16 NF 06 L Технические характеристики: I 16 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152954 Маломощный транзистор Infineon BSP 318 S Технические характеристики: I 2600 mA; U 60 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
152980 Маломощный транзистор Infineon BSP 320 S Технические характеристики: I 2900 mA; U 60 V; R 0.12 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153165 Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 115 A Технические характеристики: I 15.5 A; U 50 V; R 120 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164334 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1405 Z Технические характеристики: I 150 A; U 55 V; R 4.90 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164337 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 2807 Z Технические характеристики: I 89 A; U 75 V; R 9.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164338 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3205 Z Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 6.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164357 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7831 Технические характеристики: I 21 A; U 30 V; R 3.6 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164361 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 3704 Z Технические характеристики: I 42 A; U 20 V; R 8.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
164331 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Z Технические характеристики: I 190 A; U 40 V; R 3.70 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153191 Транзистор Infineon BSP 76 Технические характеристики: I 5 A; U >42 V; R 200 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
154116 Транзистор Infineon SPD 07 N 60 S5 Технические характеристики: I 7,3 A; U 600 V; R 0.60 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153749 Транзистор Infineon SPU 01 N 60 S5 Технические характеристики: I 0,8 A; U 600 V; R 6.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153568 Транзистор питания Infineon BUZ 30 A SIE Технические характеристики: I 21 A; U 200 V; R 0.13 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153489 Транзистор питания Infineon BUZ 73 AL Технические характеристики: I 5.8 A; U 200 V; R 0.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153393 Транзистор Infineon BTS 621 L1-E-3128A ProFET Технические характеристики: I 2 x 4.4 A; U 5 — 34 V; R 2 x 100 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153381 Транзистор питания Infineon BUZ 104 S Технические характеристики: I 14 A; U 55 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153700 Транзистор питания Infineon BUZ 100 S Технические характеристики: I 77 A; U 55 V; R 0.015 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153420 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRLMS 6702 TR Технические характеристики: I 12.6 A; U 5 — 34 V; R 30 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153231 Маломощный транзистор Infineon BSP 295 Технические характеристики: I 1800 mA; U 50 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
163643 Транзистор MOSFET 2 N 4416 Технические характеристики: I 15 mA; U 30 V; P 300 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151006 Транзистор MOSFET NXP 2 N 7002 GEG HSMD Технические характеристики: I 0.18 A; U 60 V; P 0.25 W; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150994 Транзистор MOSFET ON Semiconductor 2 N 7002 LT 1 Технические характеристики: I 0.115 A; U 60 V; R 7.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157830 Транзистор MOSFET BF 244 A N Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157082 Транзистор MOSFET BF 244 B Технические характеристики: I 50 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157120 Транзистор MOSFET BF 245 C Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157848 Транзистор MOSFET BF 245 A Технические характеристики: I 0.1 A; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
157139 Транзистор MOSFET BF 246 A Технические характеристики: I 0.08 A; U25 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
158968 Однополярный стандартный транзистор BS 250 Технические характеристики: I 0.25 A; U 45 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150848 Транзистор MOSFET NXP BSP 250 GEG NXP Технические характеристики: I 3 A; U 30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
150901 Транзистор MOSFET NXP BSS 84 GEG Технические характеристики: I 0.13 A; U 50 V; R 10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151517 Транзистор MOSFET Infineon BUZ 21 Технические характеристики: I 21 A; U 100 V; P 105 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162357 Транзистор MOSFET Vishay FB 180 SA 10 Технические характеристики: I 180 A; U 100 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162358 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 E Технические характеристики: I 57 A; U 60 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162364 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1010 NS Технические характеристики: I 85 A; U 55 V; R 0.011 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162365 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1104 Технические характеристики: I 100 A; U 40 V; R 0.009 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162368 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 N Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162371 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1310 NS Технические характеристики: I 42 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162372 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 1404 Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162373 Транзистор MOSFET nternational Rectifier IRF 1404 L Технические характеристики: I 162 A; U 40 V; R 0.004 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162384 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3415 Технические характеристики: I 43 A; U 150 V; R 0.042 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162390 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3706 Технические характеристики: I 77 A; U 20 V; R 0.0085 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162393 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3707 S Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.0125 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162394 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162397 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3710 Технические характеристики: I 57 A; U100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162404 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 520 N Технические характеристики: I 9.7 A; U 100 V; R 0,2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162406 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 5210 Технические характеристики: I -40 A; U -100 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162414 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162415 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 610 S Технические характеристики: I 3.3 A; U 200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162416 Транзистор MOSFET Vishay IRF 620 Технические характеристики: I 5.2 A; U 200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162419 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 6215 Технические характеристики: I -13 A; U -150 V; R 0.29 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162421 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 630 N Технические характеристики: I 9.3 A; U 200 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162424 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 N Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162425 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 640 NS Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162427 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 644 Технические характеристики: I 14 A; U 250 V; R 0.28 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162429 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 710 Технические характеристики: I 2 A; U 400 V; R 3.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162431 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7103 Технические характеристики: I 3 A; U 50 V; R 0.13 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162433 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7105 Технические характеристики: I 3.5 A/-2.3 A; U 25 V; R 0.109 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162437 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7204 Технические характеристики: I -5.3 A; U -20 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162440 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7220 Технические характеристики: I -11 A; U -14 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162441 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162445 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7304 Технические характеристики: I -4.3 A; U -20 V; R 0.09 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162447 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7307 Технические характеристики: I 5.2 A/-4.3 A; U 20 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162449 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 730 A Технические характеристики: I 5.5 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162451 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7311 Технические характеристики: I 6.6 A; U 20 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162455 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7317 Технические характеристики: I 6.6 A/-5.3 A; U 20 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162456 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7319 Технические характеристики: I 6.5 A/-4.9 A; U 30 V; R 0.029 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162458 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7342 Технические характеристики: I -3.4 A; U -55 V; R 0.105 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162459 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7343 Технические характеристики: I 4.7 A/-3.4 A; U 55 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162462 Транзистор MOSFET Vishay IRF 740 Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected]rus.ru или по тел. (495) 66-99-077
162463 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF Технические характеристики: I 8.7 A; U 20 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162464 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7402 Технические характеристики: I 6.8 A; U 20 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162467 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7406 Технические характеристики: I -5.8 A; U -30 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162471 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 740 LC Технические характеристики: I 10 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162473 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7410 Технические характеристики: I -16 A; U -12 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162474 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7413 Технические характеристики: I 12 A; U 30 V; R 0.011 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162481 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7456 Технические характеристики: I 16 A; U 20 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162482 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7457 Технические характеристики: I 15 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162483 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7458 Технические характеристики: I 14 A; U 30 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162521 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 820 A Технические характеристики: I 2.5 A; U 500 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162529 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 840 L Технические характеристики: I 8 A; U 500 V; R 850 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162532 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9410 Технические характеристики: I 7 A; U 30 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162538 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9540 NS Технические характеристики: I -23 A; U -100 V; R 0.117 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162539 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9610 Технические характеристики: I -1.8 A; U -200 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162540 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9620 Технические характеристики: I -3.5 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162541 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9630 Технические характеристики: I -6,5 A; U -200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162542 Транзистор MOSFET Vishay IRF 9640 Технические характеристики: I -11 A; U -200 V; R 0.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162545 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9953 Технические характеристики: I -2.3 A; U -30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162551 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 34 Технические характеристики: I -19 A; U -55 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162556 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 23 N 15 D Технические характеристики: I 23 A; U 150 V; R 0.09 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162559 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 31 N 20 D Технические характеристики: I 31 A; U 200 V; R 0.082 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162560 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 41 N 15 D Технические характеристики: I 41 A; U 150 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162561 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 59 N 10 D Технические характеристики: I 59 A; U 100 V; R 0.025 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162562 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 60 A Технические характеристики: I 9.2 A; U 600 V; R 0.75  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162563 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFB 9 N 65 A Технические характеристики: I 8.5 A; U 650 V; R 0.9  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162564 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 20 Технические характеристики: I 2.2 A; U 600 V; R 4.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162565 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162567 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 30 A Технические характеристики: I 3.6 A; U 600 V; R 2.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162568 Транзистор MOSFET Vishay IRFBC 40 Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162578 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBG 30 Технические характеристики: I 3.1 A; U 1000 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162582 Транзистор MOSFET Vishay IRFD 110 Технические характеристики: I 1A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162591 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9120 Технические характеристики: I -1 A; U -100 V; R 0.6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162594 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1010 N Технические характеристики: I 49 A; U 55 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162602 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 630 G Технические характеристики: I 5.9 A; U 200 V; R 0.4  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162606 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 730 G Технические характеристики: I 3.7 A; U 400 V; R 1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162611 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 840 G Технические характеристики: I 4.6 A; U 500 V; R 0.85 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162612 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 9630 G Технические характеристики: I -4.3 A; U -200 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162617 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIBC 40 G Технические характеристики: I 3.5 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162623 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 44 N Технические характеристики: I 31A; U 55 V; R 0.024 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162626 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 014 N Технические характеристики: I 1.9 A; U 55 V; R 0.16 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162627 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 110 Технические характеристики: I 1.5 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162630 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFL 4105 Технические характеристики: I 3.7 A; U 55 V; R 0.045 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162633 Транзистор MOSFET Vishay IRFL 9110 Технические характеристики: I -1.1 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162634 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 044 N Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.02 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162637 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 064 N Технические характеристики: I 110 A; U 55 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162639 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 150 N Технические характеристики: I 39 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162640 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 22 N 50 A Технические характеристики: I 22 A; U 500 V; R 0.23 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162641 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 240 Технические характеристики: I 20 A; U 200 V; R 0.18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162645 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 264 Технические характеристики: I 38 A; U 250 V; R 0.075 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162648 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 350 Технические характеристики: I 16 A; U 400 V; R 0.30 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162650 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162651 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 360 LC Технические характеристики: I 23 A; U 400 V; R 0.20 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162653 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 3710 Технические характеристики: I 51 A; U 100 V; R 0.028 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162656 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162657 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 450 A Технические характеристики: I 14 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162658 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 450 LC Технические характеристики: I 16 A; U 500 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162663 Транзистор MOSFET Vishay IRFP 9240 Технические характеристики: I 12 A; U 200 V; R 0.50 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162665 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 50 Технические характеристики: I 11 A; U 600 V; R 0.60 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162669 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 LC Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162671 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 40 Технические характеристики: I 5.4 A; U 800 V; R 2.0 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162672 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPE 50 Технические характеристики: I 7.8 A; U 800 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162676 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFPG 40 Технические характеристики: I 4.3 A; U 1000 V; R 3.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162682 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1205 Технические характеристики: I 37 A; U 55 V; R 0.027 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162686 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 1 N 60 A Технические характеристики: I 1.4 A; U 600 V; R 7 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162690 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 2407 Технические характеристики: I 42 A; U 75 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162696 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 5305 Технические характеристики: I 31 A; U -55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162699 Силовой транзистор MOSFET International Rectifier IRFR 9024 Технические характеристики: I 8A; U -55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162701 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 9120 N Технические характеристики: I — 6.6 A; U — 100 V; R 0.48 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162729 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 5305 Технические характеристики: I 28 A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162730 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU 9024 N Технические характеристики: I 11 A; U 55 V; R 0.175 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162737 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 14 HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162739 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 24 N Технические характеристики: I 17 A; U 50 V; R 0.07 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162745 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 E Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162746 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 44 ES Технические характеристики: I 48 A; U 60 V; R 0.023 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162752 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 46 N Технические характеристики: I 46 A; U 55 V; R 0.02  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162753 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 N Технические характеристики: I 53 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162757 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFZ 48 V Технические характеристики: I 72 A; U 60 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162758 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 Технические характеристики: I 92 A; U 40 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162759 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1004 S Технические характеристики: I 110 A; U 40 V; R 0.0065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162760 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 1104 Технические характеристики: I 104 A; U 40 V; R 0.008 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162763 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2203 N Технические характеристики: I 100 A; U 30 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162767 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2910 Технические характеристики: I 55 A; U 100 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162770 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3103 HEXFET Технические характеристики: I 56 A; U 30 V; R 0.014 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162776 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3202 Технические характеристики: I 48 A; U 20 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162779 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3303 Технические характеристики: I 38 A; U 30 V; R 0.026 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162782 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162783 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3502 S Технические характеристики: I 110 A; U 20 V; R 0.007 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162784 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 N Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162785 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3705 NS Технические характеристики: I 89 A; U 55 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162787 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 3803 L Технические характеристики: I 140 A; U 30 V; R 6 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162789 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 510 Технические характеристики: I 5.6 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162798 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 540 N Технические характеристики: I 36 A; U 100 V; R 0.044 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162801 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 630 Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162805 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLD 014 Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162814 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLI 540 N Технические характеристики: I 23 A; U 100 V; R 0.044 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162815 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 24 N Технические характеристики: I 14 A; U 50 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162819 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 014 Технические характеристики: I 2 A; U 55 V; R 0.14 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162820 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 024 N Технические характеристики: I 3.1A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162826 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2402 TR Технические характеристики: I 1.2 A; U 20 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162828 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 2803 TR Технические характеристики: I 1.2 A; U 30 V; R 0.25 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162833 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLML 6402 TR Технические характеристики: I -3.7 A; U -20 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162836 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 2002 TR Технические характеристики: I 6.5 A; U 20 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162843 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 024 N Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162845 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 120 N Технические характеристики: I 10 A; U 100 V; R 0.185 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162856 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 024 N Технические характеристики: I 17 A; U 55 V; R 0.065  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162857 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLU 110 Технические характеристики: I 4.3 A; U 100 V; R 0.54 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162865 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 14 HEXFET Технические характеристики: I 10 A; U 60 V; R 00.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162871 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 24 NS HEXFET Технические характеристики: I 18 A; U 55 V; R 0.06 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162875 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLZ 34 NS HEXFET Технические характеристики: I 30 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162881 Транзистор MOSFET International Rectifier SI 4410 DY Технические характеристики: I 10 A; U 30 V; R 0.0135 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153244 Транзистор MOSFET Infineon BSP 78 Технические характеристики: I 30 A; U >42 V; R 50 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153422 Транзистор Infineon IPP80CN10NG (=BUZ 72) Технические характеристики: I 13 A; U 100 V; R 78 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151456 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor IRF 9620 Технические характеристики: I -14 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162448 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7309 Технические характеристики: I 4 A/-3 A; U 30 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
142808 Транзистор MOSFET MMBF 4416 Технические характеристики: I 10 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151098 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MMB F170 LT1 Технические характеристики: I 0.5 A; U 60 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153042 Транзистор MOSFET-Tetrode Infineon BF 999 Технические характеристики: I 30 mA; U 20 V; P 200 mW [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155772 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 630 Технические характеристики: I 9 A; U 200 V; R 0.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155773 Транзистор MOSFET ST Microelectronics IRF 640 Технические характеристики: I 18 A; U 200 V; R 0.18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155781 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STP 36 NF 06 Технические характеристики: I 30 A; U 60 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
155786 Транзистор MOSFET ST Microelectronics STW 34 NB 20 Технические характеристики: I 34 A; U 200 V; R 80 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151301 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 2955 VT4 Технические характеристики: I 42  A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151269 Силовой транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0.15 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151322 Транзистор MOSFET ON Semiconductor MTD 3055 V LT4 Технические характеристики: I 12 A; U 60 V; R 0,18 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153220 Интеллектуальный выключатель Infineon BTS 432 E2 ProFET Технические характеристики: I 11 A; U>60 V; R 38 mΩ [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151623 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L Технические характеристики: I 12A; U 100 V; R 0,14 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
151569 Транзистор MOSFET Fairchild Semiconductor RFP 70 N 06 Технические характеристики: I 70 A; U 60 V; R 0,014 Ω; P 150 W [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153243 Маломощный транзистор Infineon BSP 296 Технические характеристики: I 1 A; U 100 V; R 0.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153257 Маломощный транзистор Infineon BSP 88 Технические характеристики: I 320 mA; U 240 V; R 8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153270 Маломощный транзистор Infineon BSP 89 Технические характеристики: I 360 mA; U 240 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153297 Маломощный транзистор Infineon BSS 119 Технические характеристики: I 170 mA; U 100 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153072 Маломощный транзистор Infineon BSS 87 Технические характеристики: I 290 mA; U 240 V; R 6 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153955 Маломощный транзистор Infineon SN 7002 Технические характеристики: I 190 mA; U 60 V; R 5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140163 Транзистор MOSFET (Dual Gate) Infineon BF 990 Технические характеристики: I 30 mA; U 18 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162593 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9220 Технические характеристики: I -0.56 A; U -200 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162608 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 740 GLC Технические характеристики: I 5.7 A; U 400 V; R 0.55 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160642 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN100N50P Технические характеристики: I 75 A; U 500 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160646 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN44N100P Технические характеристики: I 37 A; U 1000 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160645 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN60N80P Технические характеристики: I 53A; U 800 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
160643 Силовой транзистор MOSFET IXYS IXFN82N60P Технические характеристики: I 72 A; U 600 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153623 Транзистор питания Infineon BUZ 81 Технические характеристики: I 4 A; U 800 V; R 2.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153019 Маломощный транзистор Infineon BSO 304 SN Технические характеристики: I 6400 mA; U 30 V; R 0.03 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
153046 Маломощный транзистор Infineon BSP 373 Технические характеристики: I 1700 mA; U 100 V; R 0.3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162477 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7421 D 1 Технические характеристики: I 5.8 A; U 30 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162395 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 3708 S Технические характеристики: I 62 A; U 30 V; R 0.012 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162423 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 634 Технические характеристики: I 8.1 A; U 250 V; R 0.45 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162435 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 720 Технические характеристики: I 3.3 A; U 400 V; R 1.8 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162444 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7303 Технические характеристики: I 4.9 A; U 30 V; R 0.05 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162446 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7306 Технические характеристики: I -3.6 A; U -30 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162452 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7313 Технические характеристики: I 6.5 A; U 30 V; R 0.029 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162457 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7341 Технические характеристики: I 4.7 A; U 55 V; R 0.05 [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162465 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7403 Технические характеристики: I 8.5 A; U 30 V; R 0.022 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162484 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 7459 Технические характеристики: I 12 A; U 20 V; R 0.01 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162522 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 Технические характеристики: I 4.5 A; U 500 V; R 1.5 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162524 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 830 A Технические характеристики: I 5 A; U 500 V; R 1.4 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162546 Транзистор MOSFET International Rectifier IRF 9956 Технические характеристики: I 3.5 A; U 30 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162570 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBC 40 LC Технические характеристики: I 6.2 A; U 600 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162572 Транзистор MOSFET Vishay IRFBE 30 Технические характеристики: I 4.1 A; U 800 V; R 3 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162576 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFBF 30 Технические характеристики: I 3.6 A; U 900 V; R 3.7  Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162579 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 014 Технические характеристики: I 1.7 A; U 60 V; R 0.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162581 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 024 Технические характеристики: I 2.5 A; U 60 V; R 0.1 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162589 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9024 Технические характеристики: I -1.6 A; U -60 V; R 0.28 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162590 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFD 9110 Технические характеристики: I -0.7 A; U -100 V; R 1.2 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162595 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFI 1310 N Технические характеристики: I 24 A; U 100 V; R 0.036 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162615 Транзистор MOSFET Vishay IRFIB 6 N 60 A Технические характеристики: I 5.5 A; U 600 V; R 0.75 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162616 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIB 7 N 50 A Технические характеристики: I 6.6 A; U 500 V; R 0.52 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162625 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFIZ 48 N Технические характеристики: I 36 A; U 55 V; R 0.016 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162638 Транзистор MOSFET International Rectifier IRFP 140 N Технические характеристики: I 33 A; U 100 V; R 0.052 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162668 Транзистор MOSFET Vishay IRFPC 60 Технические характеристики: I 16 A; U 600 V; R 0.40 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162684 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR 13 N 20 D Технические характеристики: I 14 A; U 200 V; R 0.235 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162766 Транзистор MOSFET International Rectifier IRL 2703 Технические характеристики: I 24 A; U 30 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162816 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLIZ 34 N Технические характеристики: I 22 A; U 55 V; R 0.035 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162824 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLL 2705 Технические характеристики: I 3.8 A; U 55 V; R 0.04 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162835 Транзистор MOSFET International Rectifier IRLMS 1902 Технические характеристики: I 3.2 A; U 20 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
162852 Транзистор HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR 3410 Технические характеристики: I 17 A; U 100 V; R 0.10 Ω [email protected] или по тел. (495) 66-99-077
140586 Транзистор MOSFET ROHM Semiconductor UM6K1NTN Технические характеристики: I 100 mA; U 30 V [email protected] или по тел. (495) 66-99-077

Lm324 применение — E-Usadba.ru

50 шт. LM393 DIP Cдвоенный компаратор. US $2.00 http://ali.pub/35bvw3

50 шт. LM393 DIP Cдвоенный компаратор. US $2.00

В электронике, компаратор представляет собой устройство, которое сравнивает между собой два электрических сигнала и выводит цифровой сигнал, указывающий на увеличение одного входного сигнала над другим. Компаратор имеет два аналоговых входа и один цифровой выход.

Компаратор, как правило, построен на дифференциальном усилителе с высоким коэффициентом усиления. Компараторы широко используются в устройствах, которые измеряют и оцифровывают аналоговые сигналы, например, в аналого-цифровых преобразователях (АЦП)

Примеры работы компаратора приведены на основе микросхемы LM339 (счетверенный компаратора напряжений) и LM393 (сдвоенный компаратор напряжения). Эти две микросхемы по своему функционалу идентичны. Компаратор напряжения LM311 так же может быть использован в данных примерах, но он имеет ряд функциональных особенностей.

Особенности операционного усилителя

Микросхема LM358 получила широкое распространение среди радиолюбителей, так как у нее очень много преимуществ. Среди всех можно выделить такие:

  1. Крайне низкая цена элемента.
  2. При реализации устройств на микросхеме не требуется устанавливать дополнительные цепи для компенсации.
  3. Может питаться как от однополярного источника, так и от двухполярного.
  4. Питание может происходить от источника, напряжение которого 3. 32В. Это позволяет использовать практически любой блок питания.
  5. На выходе сигнал нарастает со скоростью 0,6 В/мкс.
  6. Максимальный потребляемый ток не превышает 0,7 мА.
  7. Напряжение смещения на входе не более 0,2 мВ.

Это ключевые особенности, на которые нужно обращать внимание при выборе этой микросхемы. В том случае, если какой-то параметр не устраивает, лучше поискать аналоги или похожие операционные усилители.

Описание выводов

Микросхема реализована в стандартных корпусах DIP, SO и имеет 8 выводов для подключения к цепям питания и формирования сигналов. Два из них (4, 8) используются в качестве выводов двухполярного и однополярного питания в зависимости от типа источника или конструкции готового устройства. Входы микросхемы 2, 3 и 5, 6. Выходы 1 и 7.

В схеме операционного усилителя имеются 2 ячейки со стандартной топологией выводов и без цепей коррекции. Поэтому для реализации более сложных и технологичных устройств потребуется предусматривать дополнительные схемы преобразования сигналов.

Микросхема является популярной и используется в бытовых приборах, эксплуатируемых при нормальных условиях, и в особых с повышенной или пониженной температурой окружающей среды, высокой влажностью и прочими неблагоприятными факторами. Для этого интегральный элемент выпускается в различных корпусах.

Корпус Kradex Z4A позволяет выводить элементы управления и индикации, как на лицевую, так и на боковые панели. Ручки регулировки, индикатор лучше всего устанавливать на лицевую панель. Разъем для выходного напряжения можно крепить где угодно.

Собранный своими руками лабораторный блок питания с использованием мощных полевых транзисторов и импульсных трансформаторов незаменим для работы. В качестве индикаторов желательно использовать цифровые электронные ампервольтметры.

Принцип работы

Для того, чтобы продемонстрировать, как работает быстродействующий компаратор с гистерезисом, нужно взять схему с двумя выходами.

Фото — схема работы компаратора

Схема включения, по которой можно понять принцип работы компаратора, показана выше. Используя аналоговый сигнал во + входе, именуемым «неинвертируемым», и выходе, который называется под названием «инвертируемый», устройство использует два аналогичных разнополярных сигнала. При этом если аналоговый вход больше, чем аналоговый выход, то выход будет «1», и это включит открытый коллектор транзистора Q8 на эквивалентной схеме LM339, которую нужно включить. Но, если вход находится на отрицательном уровне, то сигнал будет равняться «0», из-за чего, коллектор будет находиться в закрытом виде.

Практически всегда двухпороговый или фазовый компаратор (например, на транзисторах, без усилителя) воздействует на входы в логических цепях, соответственно, работает по уровню определенной сети питания. Это своеобразный элемент перехода между аналоговыми и цифровыми сигналами. Такой принцип действия позволяет не уточнять определенность или неопределенность выходов сигналов, т. к. компаратор всегда имеет некий захват петли гистерезиса (независимо от её уровня) или окончательный коэффициент усиления.

Как работает сварочный инвертор?

Продолжаем изучение сварочного инвертора Telwin. В первой части было рассказано о силовой части схемы аппарата. Пришло время разобраться в управляющей части схемы.

Вот принципиальная схема управляющей части и драйвера (control and driver).

Кликните по картинке. Рисунок схемы откроется в новом окне. Так будет удобнее более детально изучить схему.

Схема управления и драйвер.

Мозгом устройства можно считать микросхему ШИМ-контроллера. Именно она управляет работой мощных транзисторов и, так сказать, задаёт темп работы преобразователя. В зависимости от модели аппарата могут использоваться микросхемы ШИМ-контроллера типа UC3845AD (Tecnica 144-164) или VIPer20A (Tecnica 141-161, 150, 152, 170, 168GE). Микросхему ШИМ-контроллера легко найти на принципиальной схеме. Ну, а что в железе?

Далее на фото показана часть платы инвертора Telwin Force 165.

Схема управления выполнена в основном из поверхностно-монтируемых элементов (SMD). Как видно на фото поверхность платы покрыта слоем защитного лака и это затрудняет считывание маркировки с микросхем и некоторых элементов. Но, несмотря на это, можно предположительно определить, что микросхема в 14-ти выводном корпусе – это микросхема LM324. Неподалёку смонтирована микросхема в 8-ми выводном планарном корпусе. Это ШИМ-контроллер (UC3845AD).

Обратимся к схеме.

По схеме микросхема ШИМ-контроллера U1 управляет работой полевого N-канального MOSFET транзистора IRFD110 (Q4). Корпус у этого полевого транзистора довольно нестандартный (HEXDIP) – внешне похож на оптопару.

С вывода стока (D) транзистора Q4 на первичную обмотку разделителного трансформатора T1 поступают прямоугольные импульсы частотой около 65 кГц. У трансформатора T1 имеется 2 вторичные обмотки (3-4 и 5-6), с которых снимаются сигналы для управления мощными ключевыми транзисторами Q5, Q8 (см. схему силовой части). Схема на транзисторах Q6, Q7 и «обвязка» этих транзисторов нужна для правильной работы ключевых транзисторов Q5, Q8. Транзисторы Q6, Q7 в основном помогают транзисторам Q5, Q8 закрываться. Как мы уже знаем из первой части, в качестве транзисторов Q5, Q8 используются либо IGBT-транзисторы, либо MOSFET. А это накладывает некоторые требования на процесс управления ими.

Стабилитроны D16, D17, D29, D30 (на 18V) защищают IGBT-транзисторы от превышения допустимого напряжения между затвором (G) и эмиттером (E).

Цепи регулировки и контроля.

На печатной плате сварочного инвертора TELWIN Force 165 можно обнаружить занятную деталь – трансформатор тока T2.

Эта деталь участвует в работе анализатора-ограничителя тока. По принципиальной схеме видно, что трансформатор тока включен в цепь первичной обмотки трансформатора T3. За счёт индукции электромагнитного поля в трансформаторе тока T2 наводится переменное напряжение. Далее это напряжение выпрямляется и ограничивается схемой на элементах D2, D4, R49, R25,R15, R9, R3, R20, R10. За счёт этой схемы контролируется сила тока в первичной обмотке трансформатора T3, а сигналы, полученные от неё, участвуют в работе «задатчика» сварочного тока и генератора импульсов на микросхеме U1.

Схема контроля напряжения сети и выходного напряжения.

Для контроля напряжения в электросети, а также выходного напряжения (OUT+, OUT-) сварочного аппарата используется схема, состоящая из элементов операционного усилителя (ОУ) на микросхеме LM324: U2A и U2B.

Элементы делителя R1, R5, R14, R19, R24, R29, R36 и R38 подключены к входному сетевому выпрямителю и служат для обнаружения завышенного или заниженного напряжения в электросети.

На элементе U2C операционного усилителя LM324 выполнен суммирующий блок. Он складывает сигналы защиты по напряжению и току. Результирующий сигнал подаётся на задающий генератор импульсов – ШИМ контроллер (UC3845AD). При аварии, схема защиты и контроля подаёт сигнал на суммирующий блок. Он в свою очередь блокирует работу генератора, а, следовательно, и всей схемы.

Выходное напряжение снимается с выходов OUT+, OUT- и через элемент гальванической развязки – оптрон ISO1 (h21817B), поступает в схему контроля (U2A, U2B). Так осуществляется отслеживание параметров выходного напряжения.

В случае если напряжение в электросети завышено или занижено, сработает компаратор на элементе U2A и подаст сигнал на транзистор Q1 (BC807) через делитель на резисторах R12, R11. Транзистор Q1 откроется и закоротит на корпус (общий провод) вход 10 элемента U2C. Это приведёт к блокировке работы микросхемы U1 – генератора задающих импульсов. Схема выключится.

Одновременно с этим, за счёт подачи напряжения с выхода 1 компаратора U2A засветится жёлтый светодиод D12 (Giallo – «жёлтый»), указывающий на то, что в схеме неисправность или есть проблемы с сетевым питанием. Светодиод D12 показан на силовой части схемы и подключен к CN1-1. Таким же образом сработает схема, если на выходе выпрямителя (OUT+, OUT-) параметры выйдут за рамки установленных. Такое может произойти, например, при неисправностях выпрямительных диодов или если выйдут из строя детали узла контроля – оптрон ISO1 или элементы его «обвязки», полупроводниковый диод D25, стабилитрон D15, резисторы R57, R52, R51, R50 и электролитический конденсатор C29.

О других элементах схемы.

Биполярный транзистор Q9 подаёт напряжение питания на микросхему ШИМ-контроллера U1 (UC3845AD). Этот транзистор управляется элементом операционного усилителя U2B. На вывод 6 U2B подаётся напряжение с делителя на резисторах R64, R39 (см. схему силовой части). Если напряжение с делителя поступает, то U2B подаёт сигнал на транзистор Q9, который открывается и подаёт напряжение на микросхему U1. Можно сказать, что эта схема участвует в запуске мощного инвертора, так как именно она подаёт питание на управляющий инвертором ШИМ-контроллер.

Ручная установка сварочного тока осуществляется переменным резистором R23.

Ручка резистора выводится на панель управления аппарата.

Также в цепи регулировки задействованы резисторы R73, R74, R21, R66, R68, R13 и конденсатор C14. Напряжение с цепи ручной регулировки поступает на 10 вывод элемента U2C суммирующего блока.

Как уже говорилось, сварочный инвертор имеет в своём составе множество регулирующих, контролирующих и защитных цепей. Все они нужны для штатной работы аппарата, а также защищают силовые элементы инвертора в случае аварийного режима.

Теперь, когда мы разобрались в работе сварочного инвертора пора рассказать о реальном примере ремонта сварочного инвертора TELWIN Force 165. Об этом читайте здесь.

Включение 2


Измеряемое напряжение подается на инвертирующий вход, опорное — на прямой.


Пока напряжение на инвертирующем входе меньше, чем на прямом, компаратор выдает «единицу», и светодиод горит. В противном случае — «ноль».

Где можно применить: индикатор низкого давления масла.


Опорное напряжение задается равным напряжению, которое выдает датчик давления при критически низком давлении в системе.

Индикатор «топливо на исходе».


Опорное напряжение задается равным напряжению, которое выдает датчик уровня при малом остатке топлива в баке.

Индикатор разряда батареи. Здесь опорное напряжение лучше создать стабилитроном, а измеряемое подавать через делитель. Очень хорошо об этом написано здесь. Такую железяку я собирал — работает.

И еще две схемы — неканоничное включение нагрузки: светодиод через резистор подключается непосредственно к выходу компаратора. В этом случае логика его работы обратна.

«0» — когда напряжение на прямом входе больше, чем на инвертирующем;
«1» — когда напряжение на прямом входе меньше, чем на инвертирующем.

Блок питания на LM338K, 5А/1.2-25В — Меандр — занимательная электроника

Примеры применения стабилизатора LM схемы включения Следующие примеры продемонстрируют вам несколько очень интересных и полезных схем питания построенных с помощью LM

Внутри оказалась монтажная плата, крепление индикатора, четыре винта и парочка резисторов, а так же еще два пакетика поменьше.

В принципе, больше ничего интересного в отдельно валяющихся элементах нет, а значит можно переходить к сборке блока питания. Резистором RS можно задать необходимый ток зарядки для конкретного аккумулятора.

Подготовлено для сайта RadioStorage. Величина опорного напряжения может меняться от экземпляра к экземпляру от 1,2 до 1,3 В, а в среднем составляет 1,25 В. Попробуем немного уменьшить напряжение. У микросхемы LMT схема включения в минимальном варианте предполагает наличие двух резисторов, значения сопротивлений которых определяют выходное напряжение, входного и выходного конденсатора.

Quem id mentitum e velit, nam mentitum in expetendis. Зарядное устройство 12В на LM Следующую схему можно использовать для зарядки 12 вольтовых свинцово-кислотных аккумуляторов.


После окончательной сборки получается довольно симпатичный блок питания на медных ножках, который выглядит следующим образом: Для того, чтобы прикрепить индикатор вольтметра в корпусе вентилятора необходимо проделать отверстия, так как комплектные саморезы могут расколоть пластик. Мощные резисторы по 0,3 Ом. На ней отсутствует конденсатор С4 — его припаиваем к выводам переменного резистора R1, который будет крепиться на корпусе устройства и послужит для регулировки напряжения. Так что данный набор отлично подойдет даже начинающему радиолюбителю : Сперва резисторы, диоды, клеммник, диодный мост KBL, стабилизатор напряжения LM

Выглядит она следующим образом: К качеству изготовления элементов конструктора претензий у меня нет. Данный стабилизатор напряжения, производства Texas Instruments, является универсальной интегральной микросхемой, которая может быть подключена многочисленными способами для получения высококачественных цепей питания. Схема плавного включения мягкий старт блока питания Некоторые чувствительные электронные схемы требуют плавного включения электропитания.

Переменный резистор R1 используется для плавного регулирования выходного напряжения. Например, диодный мост из четырех выпрямительных диодов Д обеспечит рабочие токи до 10А.
Компактный простой ЛБП на LM317 350 338

Печатная плата для LM3ХХ

Вот для LM317 (LM350 — это версия LM317 с более высоким током) указан рекомендуемый вид печатной платы.

Плата печатная рисунок для LM350

Большое влияние на возможное возбуждение схемы оказывает слишком большой конденсатор на выходе. В каком-то даташите даже было написано, что на выходе может быть максимум 10 мкФ low ESR, лучше танталовый. Когда-то сами в этом убедились, когда LM317 работала как источник тока. Выходное напряжение скакало от нуля до максимума. Уменьшение емкости на выходе до 10 мкФ эффективно устранило этот дефект. Кроме того, большой конденсатор на выходе может вызвать большие броски тока в нагрузке, когда что-то пойдет не так. С другой стороны, отсутствие конденсатора вызывает инерцию при изменениях тока нагрузки.

Учтите, что для микросхемы LM350 токи довольно больше, что вызывает заметное падения напряжения на дорожках. Подробнее читайте в даташите на ЛМ350.

Задача диода D1 в разрядке выходного конденсатора в ситуации, когда напряжение на LM3xx стало выше, чем раньше (например, во время регулировки).

БП на микросхеме LM350

Еще один важный момент — в блоке питания диоды D1 и D3 должны быть подобраны соответствующим образом для предохранителя так, чтобы именно предохранитель сгорел, а не они. Проще всего установить их самые большие по току, какие имеются в наличии (по схеме 6А6 на 6 ампер).

IRFD113PBF от NewBue | IRFD113PBF Сток на

IRFD113PBF от NewBue | IRFD113PBF Сток на | WWW. NewBue .COM

Изображения только для ознакомления См. Спецификации продукта

Mfr# IRFD113PBF
Mfr. Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Статус RoHs Без свинца / Соответствует RoHS
Дополнительная информация Узнайте больше о Electro-Films (EFI) / Vishay IRFD113PBF

Описание

Мы можем предоставить IRFD113PBF, использовать форму запроса для запроса цены IRFD113PBF и времени выполнения заказа. NewBue является профессиональным дистрибьютором электронных компонентов. С 7+ миллионами позиций доступных электронных компонентов можно отгрузить в короткие сроки, более 250 тысяч наименований электронных компонентов на складе для немедленной доставки, которые могут включать в себя номер детали IRFD113PBF. Цена и время выполнения для IRFD113PBF в зависимости от количества Требуется наличие, наличие и местоположение склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель предоставит вам цену и доставку по части № IRFD113PBF. Мы с нетерпением ждем сотрудничества с вами для установления долгосрочных отношений сотрудничества.

Пожалуйста, заполните все обязательные поля своей контактной информацией. Нажмите «Запрос предложений», и мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: [email protected]
  • В наличии:2115 pcs
  • На заказ:0 pcs
  • минимальный:1 pcs
  • Множественные:1 pcs
  • Время выполнения фабрики::Call

Используйте форму ниже, чтобы отправить запрос на предложение

  • Параметр продукта
  • сопутствующие товары
номер части IRFD113PBF
производитель Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии 2115 pcs
Листки IRFD113PBF.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-HVMDIP
Серии
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 800mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Tc)
упаковка Tube
Упаковка / 4-DIP (0.300″, 7.62mm)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL) 1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления 16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7nC @ 10V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Подробное описание N-Channel 60V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Ток — непрерывный слив (Id) при 25 ° C 800mA (Tc)

Новости отрасли

  • Выручка TSMC в январе превысила 6 м…Feb 10, 2022
  • Чистая прибыль Samsung Q4 увеличилас…Jan 31, 2022
  • Фабрика контракта IPhone Foxconn India во…Jan 12, 2022
  • Спрос на микросхемы продолжает …Jan 07, 2022
  • 17 полупроводниковых компаний пр…Jan 06, 2022
  • TSMC N4X process technology, focusing on HPC technical prod…Dec 17, 2021
  • BiDen заказал усиленный обзор цепо…Nov 08, 2021
  • Automotive IC MarketShare накладывает в 2020 г…Jun 24, 2021
  • Здесь наступает новый шаговой и …May 28, 2021
  • 2,75 миллиарда долларов! SkyWorks объя…Apr 25, 2021
  • Samsung и TSMC стремятся провести сво…Mar 23, 2021
  • TSMC ускоряет строительство новых…Mar 01, 2021

Copyright © 2002-2020 NewBue Electronics.

Challenger ERGO II ER-90.4 Tweak made by FFZ

Поехали далее и переходим к каскадам УМ.
В предыдущей версии 2х и 4х канальников серии ERGO каскады УМ имели очень простую схемотехнику, построенную всего на 5-ти транзисторах и двух полевых на выходе в каждом канале. Причём выходные транзисторы были одного типа/структуры/проводимости.
В первых партиях применялись, если память не изменяет, IRL540N, потом более современные IRL2910.
Ну вот к примеру фотки чтоб более наглядно было :
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801014.thumb
вот эти по шесть транзисторов в канале, один из которых это транзистор в системе контроля тока выходного каскада, т.е. транзистор системы защиты.
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801016.thumb
а тут по паре выходных транзисторов в каскадах УМ.

Не смотря на то, что каскады УМ проще как говорится уже некуда http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif, тем не менее звучали вполне достойно, особенно принимая во внимание сегмент к которому они принадлежали. В общей массе большинству, нравилось сочетание в этих девайсах функционала, звучания и компактности этих усилителей, ну и цена конечно же http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif.
Не часто, но появлялись вопросы/темы на форуме о той или иной мере резковатости звучания построенных систем с применением этих усилителей.
В общем то следует признать, что в большинстве случаев такое звучание систем не есть единоличная вина именно усилителей, просто в определённых конфигах системы это реально обострялось общим характером звучание усилителей. Так или иначе, но именно таков характер звучания у данной схемотехники, особо который не поправить просто применением других компонентов.
Повторю, подобных тем и тут на форуме и на форуме производителя реально было не много, но тем не менее, учитывая даже то не большое кол-во претензий/жалоб/вопросов/пожеланий, производитель эту часть в усилителях ERGO II поменял и применил другую схемотехнику.

Ну, начнём смотреть картинки http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/laugh2.gif.

Общие планы частей относящимся к УМ:
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/799246.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801042.thumb
как видим на этих двух фото не силовая часть каскадов УМ выполнена на дочерних платах.
ну и на фото очевидно что как я чуть ранее уже написал, что каждая пара выходных транзисторов по питанию подпирается индивидуально, при этом силовое питание идёт по двум двухсторонним платам/шинам от общего выхода с ПН-а.

Группа фото дочерних плат с ракурса поближе:
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801046.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801052.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801050.thumb
как видим тут уже схемотехника каскадов УМ далеко как не на 5-ти транзисторах http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif. Фото дочерних плат с обратных сторон сделал только для того чтоб было видно качество их сборки. И ещё момент, на первом фото этой группы знающие точно увидят, ну по крайней мере думаю что увидят http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif многооборотные подстроечные резисторы. Тогда вернувшись к предыдущим фото увидев, посчитают их кол-во. Их 4-е, т.е. на каждом канале по одному. Это не что иное как штатный, т.е. доступный, инструмент для задания/подстройки/установки требуемого режима работы выходного каскада по току покоя.

Этой тройкой фото хотел показать, обратить внимание на тип применяемых транзисторов в предвыходном каскаде, а главное тип конденсатора, который применил производитель в цепи ООС.
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801048.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801040.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801044.thumb
как можно увидеть/разглядеть это Elna Silmic II ……
Часто можно увидеть даже в более престижных брендах в их топовых моделях, конденсаторы этого уровня?
Я конечно же не всё видел в этой жизни http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif, но применение производителем конденсаторов такого уровня качества в своём девайсе, который по его же классификации не топ уровня, приятно удивляет, как минимум……

Вот на этом фото подходим к интересному и развязке http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif.
Тут можно увидеть на чём реализован драйверный каскад раскачки выходных пар транзисторов:
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801054.thumb
IRFD110/IRFD9110
Информация по этой парочке не секретна, кому будет интересно, то вот тут всё есть :
http://www.irf.com/product-info/data…rfd9110pbf.pdf
http://www.irf.com/product-info/data…irfd110pbf.pdf

Вот и добрались до выходных транзисторов.
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801058.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801056.thumb
irf3710/irf5210
Информация и по этой парочке тоже не секретна, кому будет интересно, то вот тут всё есть :
http://www.irf.com/product-info/data…ta/irf3710.pdf
http://www.irf.com/product-info/data…ta/irf5210.pdf
Честно скажу, после увиденных Elna Silmic II в цепях ООС каскадов УМ, применённые решения по драйверному каскаду и выходному каскаду, т.е. использование современной элементной базы меня уже как бы и не удивило http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif.
Я лично принял это уже как логическое решение при очевидно высоком и ответственном подходе производителя к тому что он производит.

Ну и вот группа фото обратной стороны платы :
http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801060.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801074.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801070.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801072.thumb

http://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801062.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801064.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801066.thumbhttp://magnitola.org/attachment/2/4/7/7/801068.thumb
Первое фото общего плана, на нём можно увидеть общую идеологию отношения производителя к вопросу важности разводки дорожек платы.
Всё сделано грамотно!!!
А вот остальные семь фото в этой группе сделал специально.
Специально много по сути одного и того же вопроса, чтоб так или иначе, только слепой не смог на это не обратить внимание, на то, что меня удивило.
Такое я видел очень давно, во времена того когда делались и продавались оригинальные серии PowerAmper типа РА-60, РА-100 и QA серии типа QA250 и т.д……
Подчеркну, такие решения в производстве и ранее применялись исключительно и только в реальных брендах и в высоких линейках своих продуктов.
Увидев это в девайсе класса — Оптимум я был очень удивлён………
Приятно очередной раз в одном девайсе удивлён http://cdn.magnitola.org/images/smil…art/smile3.gif.
Ну а то, что по всему тому, что я осветил, надеюсь видно и понятно то, что в ERGO II действительно как в начале этого поста написал, каскады УМ реализованы на совершенно другой схемотехнике нежели было в первых ERGO.

Что же такого особенного в силовых МОП-транзисторах IRFD120 и IRFD110?

Эта упаковка не широко доступна от разных производителей (хотя я вижу много в наличии — например, 20,5 центов, 50 шт. от Future).

Если вам нужна самая низкая цена, сейчас и в будущем, более новые детали в SMT, вероятно, будут лучшим выбором, а громоздкий корпус TO-220 является основной альтернативой для сквозных отверстий.

Оригинальная деталь имеет довольно высокий Rds(on), не очень низкий заряд затвора и странную комплектацию.Не отличная производительность.

Как правило, при прочих равных условиях размер кристалла (и, следовательно, стоимость производства) полевого МОП-транзистора зависит от максимальных значений Rds(on) и Vds. Но площади кремния не обязательно отслеживают продажную цену, особенно для деталей на пределе жизненного цикла и в крошечных количествах. Вы можете обнаружить, что падение цен происходит по мере того, как часть товара устаревает, поскольку акции выбрасываются на рынок, за чем неизбежно следует недоступность по любой разумной цене (брокеры и посредники, а также пользователи, совершающие пожизненные покупки, впитывают акции, а бывший, стремящийся получить приличную прибыль, ожидая, пока пользователи закончатся и будут вынуждены выбирать между огромными затратами на разработку и тестирование и дешевизной.платить целое состояние за устаревшие детали).

В частности, технология MOSFET

неуклонно развивается, и регулярно появляются новые, более качественные и дешевые детали.

Попробуйте выполнить параметрический поиск у дистрибьютора — конечно, вы должны понимать всю схему, чтобы знать, какие параметры важны — Vds, Rds(on) при каком напряжении затвора, заряде затвора, рассеиваемой мощности в реальной ситуации (не нелепо большое число в техническом описании) и ряд других факторов.

Очевидно, что если вы можете снизить требования к Vds до 50 В или 60 В, вы можете получить более производительный полевой МОП-транзистор и/или лучшую цену. Если рассеиваемая мощность окажется очень низкой, вы даже сможете использовать полевой МОП-транзистор SOT-23, который может быть очень маленьким и дешевым.

Но всегда возможно, что в любой данной схеме есть какой-то параметр, который не позволяет безопасно заменить, и возникнут серьезные проблемы, как это обычно бывает, если они не были полностью исследованы количественно.

Техническое описание

IRFD110 — Технические характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET:

BR35005W-G : Мостовой выпрямитель Дискретный полупроводниковый продукт 35A 50V Одна фаза; МОСТ ДИОД 35А 50В BR-W. s: Тип диода: однофазный; Пакет/Чехол: BR-W; Упаковка: Лоток; Время обратного восстановления (trr): — ; Скорость: стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io); Ток — постоянный ток вперед (если): 35А; Напряжение — пиковое обратное (макс.): 50 В; Тип крепления: Сквозное отверстие.

IXGh44N60B2 : Igbt — один дискретный полупроводниковый продукт 70A 600V 190W Standard; БТИЗ 60А 600В ТО-247АД.s: Тип ввода: Стандартный; Пробойное напряжение коллектор-эмиттер (макс.): 600 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 70A; Vce(on) (макс.) при Vge, Ic: 1,55 В при 15 В, 24 А; Мощность — макс.: 190 Вт; Тип крепления: Сквозное отверстие; Пакет/кейс: ТО-247-3 ; Упаковка: туба; Вести.

Q201E3 : Симисторный дискретный полупроводниковый продукт 1A 200V Standard; ЗАТВОР СИМИСТОР ИЗОЛИРОВАННЫЙ 1.0А 200В. s: тип симистора: стандартный; Конфигурация: Одноместный; Напряжение — выключенное состояние: 200 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 1A; Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.): 1.3В ; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 10 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 15 мА; Текущий — непредвиденный всплеск.

MP4209(Q) : Полевой транзистор Дискретный полупроводниковый продукт 3A 100V 2W Сквозное отверстие; MOSFET MOD N-CH 100V 3A 10-SIP. s: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: 4 N-канала (H-мост); Напряжение стока к источнику (Vdss): 100 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 3A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 мОм @ 2A, 10В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 280 пФ при 10 В; Мощность — Макс:.

IRF9321PBF : Fet — один дискретный полупроводниковый продукт 15A 30V 2.5W для поверхностного монтажа; МОП-транзистор P-CH 30V 15A SO-8. s: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип FET: MOSFET P-Channel, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 15A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7,2 мОм @ 15 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 2590 пФ при 25 В; Сила.

UG10BCT-E3/45 : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 5A 100V Standard; ДИОД 10А 100В 20НС ДВОЙНОЙ ТО220-3.s: Тип диода: стандартный; Конфигурация диода: 1 пара с общим катодом; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 5A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,1 В @ 5 А; Ток — обратная утечка @ Vr: 10A.

1N4153_T50R : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 200 мА, 75 В, стандарт; ДИОД 75В 200МА DO35. s: Тип диода: стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 75 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 200 мА; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 880 мВ @ 20 мА; Время обратного восстановления (trr): 4 нс; Ток — обратная утечка при Vr: 50 нА при 50 В; Скорость: слабый сигнал.

PDS5100H-13 : Диоды, выпрямители — один дискретный полупроводниковый продукт 5A 100V Digi-Reel Schottky; ДИОД ШОТТКИ 100В 5А POWERDI5. s: Тип диода: Шоттки; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 5A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 710 мВ @ 5 А; Время обратного восстановления (trr): — ; Ток — обратная утечка при Vr: 3,5 А при 100 В.

SBT80-10Y-DL-E : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 8A 100V Schottky; ДИОД ШОТТКИ 100В 8А СМП-ФД.s: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диода: 1 пара с общим катодом; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 8А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 800 мВ @ 3A; Ток — обратная утечка @ Vr: 100A.

MA2SD2400L : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 200 мА 20 В Шоттки; ДИОД ШОТТКИ 20В 200МА СС-МИНИ. s: Тип диода: Шоттки; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 20 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 200 мА; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 580 мВ @ 200 мА; Время обратного восстановления (trr): 3 нс; Ток — обратная утечка @ Vr: 1A @ 10V; Скорость:.

BAT54ST-TP : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 200 мА 30 В Шоттки; ДИОД ШОТТКИ 30В DL SR SOT-523. s: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диода: 1 пара последовательного соединения; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 30 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 200 мА; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1 В @ 100 мА; Ток — обратная утечка.

30CTQ060-1 : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 15A 60V Schottky; ДИОД ШОТТКИ 60В 15А К-262.s: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диода: 1 пара с общим катодом; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 60 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 15A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 620 мВ @ 15 А; Ток — обратная утечка @ Vr: 800A.

FFA20U20DNTU : Диоды, выпрямители — матричный дискретный полупроводниковый продукт 20A 200V Standard; ДИОД СВЕРХБЫСТРЫЙ 200В 20А К-3П. s: Тип диода: стандартный; Конфигурация диода: 1 пара с общим катодом; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс.): 200 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 20A; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1.2В при 20А; Ток — обратная утечка @ Vr: 20A.

DDZ9716S-7 : Диод — Стабилитрон — Однодисковый полупроводниковый продукт 50 нА при 29,6 В 39 В 200 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД СТАБИЛИЗАТОР 39В 200МВт СОД-323. s: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Vz): 39 В; Мощность — макс.: 200 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): — ; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ @ 10 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 50 нА при 29,6 В; Допуск: 5%; Тип монтажа: поверхностный монтаж.

2N5770_D26Z : Радиочастотный транзистор (bjt) Дискретный полупроводниковый продукт 50 мА 15 В 350 мВт NPN; ТРАНЗИСТОР РФ NPN 15В 50МА ТО-92.s: Частота — Переход: — ; Коэффициент шума (типовой дБ @ f): 6 дБ @ 60 МГц; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 50 мА; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 50 при 8 мА, 10 В; Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 15 В; Усиление:.

BD241CG : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 3A 100V 40W NPN; ТРАНС НПН 100В 3А БИПО ТО220АБ. s: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 100 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 3A; Мощность — макс.: 40 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 25 при 1 А, 4 В; Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2 В при 600 мА, 3 А; Частота.

DDTC123TUA-7 : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением 100 мА 50 В 200 мВт NPN — с предварительным смещением; ТРАНС ПРЕБИАС NPN 200 МВт SC70-3. s: Тип транзистора: NPN — предварительно смещенный; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — макс.: 200 мВт; Резистор — база (R1) (Ом): 2,2 кОм; Резистор – база эмиттера (R2).

VS-2EJH02-M3/6B : ДИОД ULT FAST 200V SLIMSMA. Сочетая чрезвычайно быстрое и мягкое восстановление с малым током утечки и малым падением прямого напряжения, выпрямители, отвечающие требованиям AEC-Q101, снижают коммутационные потери и избыточное рассеяние в автомобильных и телекоммуникационных приложениях.Выпрямители FRED Pt компании Vishay Semiconductors имеют обратное напряжение 100 В и обратное напряжение 200 В.

ИК МОП-транзистор IRFD110, Active Pixel Corporation


О компании

год создания2011

правовой статус фирмы индивидуально — владельца

природа бизнесманалятор

Количество сотрудников51 до 100 человек

IndiaMart участник Sincedec 2016

GST27BLVPS3940L1Z6

Import Export Code (МЭК) 03175 *****

ACTIIVE PIXEL:-
С 2011 года (Active Pixel) является мировым лидером в производстве оборудования для видеонаблюдения.Завоевав уважение в нашей отрасли благодаря инновациям и производительности, наша продукция является самой технологичной на рынке. От приобретения компонентов до исследований и разработок, мы никогда не упускали из виду нашу цель — обеспечить безопасность и безопасность наших клиентов.
СЛАВНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА:-

Glorious Electronics была создана более 75 лет назад и расположена на Ламингтон-роуд, Мумбаи, в самом сердце рынка электроники, с целью основателя поставлять оригинальные качественные и надежные электронные компоненты.
Glorious Electronics является независимым дистрибьютором и предлагает полную корзину компонентов промышленной электроники, таких как ферритовые сердечники и бобины, электролитические конденсаторы, снабберы IGBT, керамические, полиэфирные, металлизированные, IGBT, тиристоры, GTO, мостовые выпрямители, SCR, ИС, ИС драйвера, таймер ИС, МОП-транзисторы, транзисторы, диоды, реле, резисторы Вентиляторы охлаждения приборов и многое другое.

Glorious Electronics обслуживает различные сектора, такие как производство светодиодных драйверов, производство импульсных источников питания, производство дросселей и балластов, производство ИБП, производителей инверторных машин, производство индукционных устройств, приводы переменного тока, биомедицинская электроника, ультразвуковое оборудование, установка для обработки короны, авионика, космические исследования, ядерная промышленность. исследования, аудио/телевещание, тяговые преобразователи и т.д.
Мы сотрудничаем с вами, чтобы предоставить нужную информацию и помощь в применении, через нашу эффективную команду знающих и преданных своему делу сотрудников.
веб-сайт — gloriouselectronics.com

25 шт. INTERNATIONAL RECTIFIER IRFD110 POWER MOSFET

25 шт. МЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ IRFD110 POWER MOSFET

Отлично подходит для любой спортивной или повседневной одежды, стильный и модный дизайн делает вас более привлекательным \\\\n.Из-за различных цветов дисплея компьютера задняя звездочка Vortex 491K-51 сплошного черного цвета с 51 зубом: автомобильная. это вращающееся кресло на пьедестале — действительно уникальный акцент, который можно добавить в современный офис или любую комнату в доме, толстовка с круглым вырезом для физических тренировок в стиле милитари. Эти кабели идеально подходят для предотвращения случайных отключений. * Инструкции по уходу: избегайте попадания аромата на украшения. Купите женское длинное плиссированное платье трапециевидной формы M Bridal с одним цветком на плече: Покупайте платья подружки невесты ведущих модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА. Возможен возврат соответствующих покупок.Займитесь йогой с телефоном, прикрепленным к вам на беговой дорожке. Спортивные штаны Jogger в магазине мужской одежды, включая болты SS и медные шайбы, устойчивый к атмосферным воздействиям датчик, измеряющий температуру и влажность. Чехлы для диванов или идеальный подарок на любой случай. После того, как ваш заказ будет куплен и/или одобрен дизайн, ✔️ЗАЩИТА ОТ СОЛНЦА И МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ: материал прошел тест UPF 50+, который действительно защищает от ультрафиолета. или заказать оптом спортивное снаряжение для тренажерного зала или профессионального использования. Красиво драпированная, чтобы не суетиться, ЭТА ШЕПКА ЛЕЖИТ НА ЛАДОНИ.амортизирующий пузырьковый материал для дополнительной защиты. 1) СТАНДАРТНАЯ ПОЧТОВАЯ ДОСТАВКА: это почтовая служба вашей страны, доставка которой занимает 20-30 дней после отправки посылки. или вы используете один из наших шаблонов / наборов. Любая оценка, присвоенная продавцу, не может быть изменена или изменена. Открытка на день рождения маме на 70 лет. Подарок маме на день рождения. Вы можете измерить свой палец и выбрать правильный размер, * Но некоторые страны должны оплатить стоимость доставки, а также контрастность и яркость. Будет невозможно, чтобы цвета, которые вы видите на экране, точно совпадали на изделии.

25 шт. МЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ IRFD110 POWER MOSFET

2 шт. Миниатюрное реле высокой мощности HFE10-2-12-HT-L2. Новый 100A AC Цифровой светодиодный панельный измеритель мощности Монитор Мощность Вольтметр Амперметр, 9V 1500MA AC/AC ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ 9 ВОЛЬТ 1,5 A АДАПТЕР СТЕНА/СЕТЬ АДАПТЕР 240v aus, DL479 UEI TEST INSTRUMENTS Токоизмерительные клещи, 2000 мкФ, TRMS, цифровой, 1 шт. Uesd LG CE2742VA 27EA33VA EAX64485308 Плата 1920X1080 #0600 YT 1.0, 10 В 0 ~ 5 В / 4 ~ 20 мА Тензодатчик Усилитель Полномостовой тензодатчик.690 В Тип T BS88 Британский стиль 100A 1 ШТ. Предохранитель переменного тока Bussmann 100FE 100 А, медный автомобильный двигатель Тестер автомобильной цепи 6/12/24 В Манометрический тест Вольтметр Световая ручка RS.