Как проверить igbt: Как проверить IGBT транзистор мультиметром | Энергофиксик

Содержание

Как проверить IGBT транзистор мультиметром | Энергофиксик

Здравствуйте уважаемые посетители моего канала! В этом материале мы продолжаем с вами знакомиться с правилами проверки различных элементов электроники. И сегодня нашим героем станет IGBT транзистор.

IGBT транзистор

IGBT транзистор

Немного теории

За основу работы биполярных транзисторов с изолированным затвором взято использование n – канального МОП – транзистора небольшой мощности для коммутирования мощного биполярного транзистора. В данном устройстве получилось соединить все самое лучшее от биполярного и полевого транзисторов.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) нашли самое широкое применение во многих современных электроприборах. Так, например, большинство современных сварочных аппаратов обязательно в своей конструкции имеют сборку из IGBT транзисторов.

Графически данный элемент изображается следующим образом.

Графическое обозначение транзистора на схемах где G — Затвор, C- коллектор, E — эмиттер.

Графическое обозначение транзистора на схемах где G — Затвор, C- коллектор, E — эмиттер.

Проверяем IGBT транзистор мультиметром

Ну а теперь давайте от слов перейдем к делу и проверим мультиметром транзистор STGW45HF60WD.

Транзистор и мультиметр MASTECH MY62

Транзистор и мультиметр MASTECH MY62

Для начала нам нужно выяснить, где у элемента эмиттер, коллектор и затвор. Для этого открываем любой поисковик и ищем Datasheet на наш элемент.

Datasheet испытуемого транзистора

Datasheet испытуемого транзистора

После того как мы узнали назначение каждого вывода, можно приступать к проверке работоспособности. Для этого берем мультиметр и ставим регулятор на прозвонку и производим замер между затвором и эмиттером.

Тем самым мы проверим наш транзистор на возможный «коротыш». Если мультиметр показывает «1», значит все в норме и можно продолжать измерения, а если прибор покажет «ноль», то изделие неисправно.

Теперь щупами производим замер между затвором и коллектором, так же проверяя на возможное короткое замыкание.

Далее с помощью перемычки или любого металлического предмета перемыкаем вывода транзистора на пару секунд. Тем самым мы гарантировано закроем его.

После этого вновь берем мультиметр и «минус» (черный щуп) соединяем с коллектором, а «плюс» (красный щуп) с эмиттером. При этом на дисплее мультиметра вы увидите падение напряжения на внутреннем диоде.

Теперь меняем щупы местами и мультиметр должен показать «1». Это означает, что в транзисторе нет утечки и внутреннего замыкания.

Кроме этого вы можете собрать простенькую схему, с помощью которой вы так же гарантировано проверите работоспособность транзистора даже без проверочного оборудования.

Схема проверки транзистора сторонним источником питания и лампой на 12 Вольт

Схема проверки транзистора сторонним источником питания и лампой на 12 Вольт

Так если кнопка будет зажата, то лампочка будет гореть, а в отжатом положении нет.

Вот таким нехитрым способом можно проверить работоспособность IGBT (БТИЗ) транзистора. Если вам понравился материал, и вы хотите видеть в своей ленте больше подобного, тогда ставим лайк и подписываемся. А в комментариях вы можете написать на какую тему вы хотите почитать статью.

Как проверить IGBT транзистор, принцип работы IGBT.

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) целесообразно использовать в сильноточных, высоковольтных ключевых схемах. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения – вот сфера применения таких элементов.

Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов значительно ниже, чем частота полевых транзисторов.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Проверяется IGBT FGh50N60SFD. IGBT часто пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы легко выявить с помощью мультиметра. Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, необходимо обратиться к справочным данным и выяснить назначение его выводов.

Затем произвести следующие действия:

1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение между затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.

2. Произвести измерение между затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.

3. На секунду замкнуть пинцетом или перемычкой эмиттер и затвор. После этого транзистор будет гарантированно закрыт.

4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.

5. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером. Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.

Для более надежной проверки IGBT транзистора можно собрать следующую схему:

При замыкании контактов кнопки лампочка должна загораться, при размыкании – тухнуть.

В этом видео показано как проверить IGBT мультиметром:

Опубликовано 05.11.2016

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Чтобы проверить IGBT транзистор мультиметром, необходимо разобраться с понятием биполярного устройства. Тестер при его проверке способен функционировать в разных режимах. Для прозвонки надо следовать инструкции.

Что такое IGBT транзистор

IGBT транзистор — это биполярный элемент, изготовленный с изолированным затвором. Он используется в системах управления и предназначен для понижения, повышения напряжения. У элементов высокий показатель сопротивления. По характеристикам они схожи с компонентами MOSFET.

MOSFET

Принцип действия

Работа транзистора построена на изменении сопротивления. Элемент включает коллектор, эмиттер, который принимает на себя напряжение. Когда сигнал поступает на проводник, сопротивление уменьшается. Уровень тока зависит от площади контакта. Эмиттер предназначен для сильных токов, осуществляет переход транзистора. Происходит смещение, цепь открывается. Электронный заряд перебегает на базу.

Важно! Роль коллектора — усиление слабого сигнала. Увеличение напряжения на выходе происходит постепенно.

Назначение

Биполярные транзисторы востребованы в разных отраслях. Больше всего они устанавливаются в блоках питания и в инверторах. Если рассматривать сварочный приборы, они находятся на платах управления. Электротранспорт также не обходится без биполярных компонентов. Электровоз, трамвай управляется за счёт них.

Трамвай

Интересно! Бытовые приборы частично содержат элементы. К примеру, IGBT могут встречаться в вентиляционных устройствах, насосах.

Проверка на работоспособность

Проверка IGBT транзисторов мультиметром происходит поэтапно:

  1. тест затвора,
  2. замыкание цепи,
  3. связь с коллектором.

Используя мультиметр, легко разобраться, как проверять IGBT, даже не имея схемы. Если плата управления не отвечает на сигналы, имеет смысл узнать проводимость компонентов. Поскольку в устройстве имеется три выхода, положение щупов мультиметра придется изменять. Действовать необходимо в режиме «прозвонка».

Прозвонка мультиметром

В зависимости от модели используются разные обозначения. Если рассматривать мультиметры российского производства, у них режим обозначается стрелкой вправо. Щупы устанавливаются в разъемы COM и мА. Важно подвести контакты к затвору и эмиттеру. На транзисторе они располагаются по краям. Если устройство работает нормально, мультиметр покажет «1».

Вторым шагом проверяется связь между коллектором и затвором. Замыкание в цепи приводит к появлению значения «0» на дисплее. Если всё хорошо, раздастся звуковой либо визуальный сигнал. Далее требуется определить связь между эмиттером и затвором. Мультиметр должен быть установлен в режиме прозвонки. Однако теперь интересует напряжение в цепи.

Проверка IGBT

У отечественных моделей оно обозначается, как «V/Ω». Щупы подсоединяются к диоду. Если утечка отсутствует, на экране показывается единица. Распространенной считается схема с использованием 12-вольтовой лампочки. Тумблер устанавливается на выходе. Когда транзистор пропускает ток, лампочка горит.

Важно! Если контакт разорван, индикатор не сработает. Для лампочки требуется источник питания.

Индикатор мультиметра

Используя мультиметр китайского производителя, тестер необходимо настроить. В режиме сопротивления выставляется значение «-2000». Первым делом осуществляется проверка базы коллектора, далее устанавливается связь с эмиттером. Проще всего работать с цифровым тестером. В данном режиме нормальным считается показатель «500 Ом». Электрики также прозванивают компонент в режиме проверки диодов.

Цифровой тестер

Недостаток метода кроется в том, что элемент должен быть отсоединен от цепи. Прикасаться к затвору во время измерения запрещено. В противном случае уменьшается сопротивление и мультиметр не покажет точное значение.

Теперь понятно, как проверить IGBT транзистор мультиметром. Рассмотрен принцип действия, особенности элементов. Необходимо разбираться в режимах мультиметра, знать инструкцию.

Как проверить igbt транзистор мультиметром не выпаивая. Как проверить биполярный транзистор. Проверяем исправный транзистор

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора.

Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.

При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Общие правила в том, гласят начать процедуру с определения работоспособности самого измерительного прибора. Убедившись, что тот работает безошибочно, переходят к дальнейшим измерениям.

Выводы:

  1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
  2. Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
  3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

Как проверить транзистор? (Или как прозвонить транзистор) Такой вопрос, к сожалению, рано или поздно возникает у всех. Транзистор может быть повреждён перегревом при пайке либо неправильной эксплуатацией. Если есть подозрение на неисправность, есть два лёгких способа проверить транзистор.

Как проверить транзистор мультиметром (тестером)

Проверка транзистора мультиметром (тестером)

(прозвонка транзистора ) производится следующим образом.
Для лучшего понимания процесса на рисунке изображён «диодный аналог» npn-транзистора . Т.е. транзистор как бы состоит из двух диодов . Тестер устанавливается на прозвонку диодов и прозванивается каждая пара контактов в обоих направлениях. Всего шесть вариантов.

  • База — Эмиттер (BE)
  • База — Коллектор (BC) : соединение должно вести себя как диод и
    проводить ток только в одном направлении.
  • Эмиттер — Коллектор (EC) : соединение не должно проводить ток ни в каком направлении.

При прозвонке pnp-транзистора «диодный аналог» будет выглядеть также, но с перевёрнутыми диодами. Соответственно направление прохождения тока будет обратное, но также, только в одном направлении, а в случае «Эмиттер — Коллектор» — ни в каком направлении.

Соберите схему с транзистором, как показано на рисунке. В этой схеме транзистор работает как «ключ». Такая схема может быть быстро собрана на монтажной печатной плате, например. Обратите внимание на 10Ком резистор , который включается в базу транзистора. Это очень важно, иначе транзистор «сгорит» во время проверки.

Если транзистор исправен, то при нажатии на кнопку светодиод должен загораться и при отпускании — гаснуть.

Эта схема для проверки npn-транзисторов. Если необходимо проверить pnp-транзистор, в этой схеме надо поменять местами контакты светодиода и подключить наоборот источник питания.

Таким образом, можно сказать, что проверка транзистора мультиметром более проста и удобна. К тому же, существуют мультиметры с функцией проверки транзисторов. Они показывают ток базы, ток коллектора и даже коэффициент усиления транзистора.

И помните, никто не умирает так быстро и так бесшумно, как транзистор.

Перед тем как собрать какую-то схему или начать ремонт электронного устройства необходимо убедиться в исправности элементов, которые будут установлены в схему. Даже если эти элементы новые, необходимо быть уверенным в их работоспособности. Обязательной проверке подлежат и такие распространенные элементы электронных схем как транзисторы.

Для проверки всех параметров транзисторов существуют сложные приборы. Но в некоторых случаях достаточно провести простую проверку и определить годность транзистора. Для такой проверки достаточно иметь мультиметр.

В технике используются различные виды транзисторов – биполярные, полевые, составные, многоэмиттерные, фототранзисторы и тому подобные. В данном случае будут рассматриваться наиболее распространенные и простые — биполярные транзисторы.

Такой транзистор имеет 2 р-n перехода. Его можно представить как пластину с чередующимися слоями с разными типами проводимости. Если в крайних областях полупроводникового прибора преобладает дырочная проводимость (p), а в средней – электронная проводимость (n), то прибор называется транзистор р-n-p. Если наоборот, то прибор называется транзистором типа n-p-n. Для разных видов биполярных транзисторов меняется полярность источников питания, которые подключаются к нему в схемах.

Наличие в транзисторе двух переходов позволяет представить в упрощенном виде его эквивалентную схему как последовательное соединение двух диодов.

При этом для p-n-p прибора в эквивалентной схеме между собой соединены катоды диодов, а для n-p-n прибора – аноды диодов.

В соответствии с этими эквивалентными схемами и производится проверка биполярного транзистора мультиметром на исправность.

Порядок проверки устройства — следуем по инструкции

Процесс измерений состоит из следующих этапов:

  • проверка работы измерительного прибора;
  • определение типа транзистора;
  • измерение прямых сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
  • измерение обратных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
  • оценка исправности транзистора.

Перед тем, как проверить биполярный транзистор мультиметром, необходимо убедиться в исправности измерительного прибора. Для этого вначале надо проверить индикатор заряда батареи мультиметра и, при необходимости, заменить батарею. При проверке транзисторов важна будет полярность подключения. Надо учитывать, что у мультиметра на выводе «COM» имеется отрицательный полюс, а на выводе «VΩmA» – плюсовой. Для определенности к выводу «COM» желательно подключить щуп черного цвета, а к выводу «VΩmA» -красного.

Чтобы к выводам транзистора подключить щупы мультиметра правильной полярности, необходимо определить тип прибора и маркировку его выводов. С этой целью необходимо обратиться к справочнику или найти описание транзистора в Интернете.

На следующем этапе проверки переключатель операций мультиметра устанавливается в положение измерения сопротивлений. Выбирается предел измерения в «2к».

Перед тем, как проверить pnp транзистор мультиметром, надо минусовой щуп подключить к базе устройства. Это позволит измерить прямые сопротивления переходов радиоэлемента типа p-n-p. Плюсовой щуп подключается по очереди к эмиттеру и коллектору. Если сопротивления переходов равны 500-1200 Ом, то эти переходы исправны.

При проверке обратных сопротивлений переходов к базе транзистора подключается плюсовой щуп, а минусовой по очереди подключается к эмиттеру и коллектору.

Если эти переходы исправны, то в обоих случаях фиксируется большое сопротивление.

Проверка npn транзистора мультиметром происходит по такой же методике, но при этом полярность подключаемых щупов меняется на противоположную. По результатам измерений определяется исправность транзистора:

  1. если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода большие, то это значит, что в приборе имеется обрыв;
  2. если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода малы, то это означает, что в приборе имеется пробой.

В обоих случаях транзистор является неисправным.

Оценка коэффициента усиления

Характеристики транзисторов обычно имеют большой разброс по величине. Иногда при сборке схемы требуется использовать транзисторы, у которых имеется близкий по величине коэффициент усиления по току. Мультиметр позволяет подобрать такие транзисторы. Для этого в нем имеется режим переключения «hFE» и специальный разъем для подключения выводов транзисторов 2 типов.

Подключив в разъем выводы транзистора соответствующего типа можно увидеть на экране величину параметра h31.

Выводы :

  1. С помощью мультиметра можно определить исправность биполярных транзисторов.
  2. Для проведения правильных измерений прямого и обратного сопротивлений переходов транзистора необходимо знать тип транзистора и маркировку его выводов.
  3. С помощью мультиметра можно подобрать транзисторы с желаемым коэффициентом усиления.

Видео о том, как проверить транзистор мультиметром

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные.

Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. На базу подается ток небольшой величины, который вызывает изменение в зоне эмиттер-коллектор сопротивления, что приводит к изменению протекающего тока. Ток протекает в одном направлении, которое определяется типом перехода и соответствует полярности подключения.

Транзистор данного типа оснащен двумя p-n переходами. Когда в крайней области прибора преобладает электронная проводимость (n), а в средней — дырочная (p), то транзистор называется n-p-n (обратная проводимость). Если наоборот, тогда прибор именуется транзистором типа p-n-p (прямая проводимость).

Полевые транзисторы имеют характерные отличия от биполярных. Они оснащены двумя рабочими выводами — истоком и стоком и одним управляющим (затвором). В данном случае на затвор воздействует напряжение, а не ток, что характерно для биполярного типа. Электрический ток проходит между истоком и стоком с определенной интенсивностью, которая зависит от сигнала. Этот сигнал формируется между затвором и истоком или затвором и стоком. Транзистор такого типа может быть с управляющим p-n переходом или с изолированным затвором. В первом случае рабочие выводы подключаются к полупроводниковой пластине, которая может быть p- или n-типа.

Главной особенностью полевых транзисторов является то, что их управление обеспечивается не при помощи тока, а напряжения. Минимальное использование электроэнергии позволяет его применять в радиодеталях с тихими и компактными источниками питания. Такие устройства могут иметь разную полярность.

Как проверить мультиметром транзистор

Многие современные тестеры оснащены специализированными коннекторами, которые используются для проверки работоспособности радиодеталей, в том числе и транзисторов.

Чтобы определить рабочее состояние полупроводникового прибора, необходимо протестировать каждый его элемент. Биполярный транзистор имеет два р-n перехода в виде диодов (полупроводников), которые встречно подключены к базе. Отсюда один полупроводник образовывается выводами коллектора и базы, а другой эмиттера и базы.

Используя транзистор для сборки монтажной платы необходимо четко знать назначение каждого вывода. Неправильное размещение элемента может привести к его перегоранию. При помощи тестера можно узнать назначение каждого вывода.

Важно! Данная процедура возможна лишь для исправного транзистора.

Для этого прибор переводится в режим измерения сопротивления на максимальный предел. Красным щупом следует коснуться левого контакта и измерить сопротивление на правом и среднем выводах. Например, на дисплее отобразились значения 1 и 817 Ом.

Затем красный щуп следует перенести на середину, и с помощью черного измерить сопротивления на правом и левом выводах. Здесь результат может быть: бесконечность и 806 Ом. Красный щуп перевести на правый контакт и произвести замеры оставшейся комбинации. Здесь в обоих случаях на дисплее отобразится значение 1 Ом.

Делая вывод из всех замеров, база располагается на правом выводе. Теперь для определения других выводов необходимо черный щуп установить на базу. На одном выводе показалось значение 817 Ом – это эмиттерный переход, другой соответствует 806 Ом, коллекторный переход.

Важно! Сопротивление эмиттерного перехода всегда будет больше, чем коллекторного.

Как прозвонить мультиметром транзистор

Чтобы убедиться в исправном состоянии устройства достаточно узнать прямое и обратное сопротивление его полупроводников. Для этого тестер переводится в режим измерения сопротивления и устанавливается на предел 2000. Далее следует прозвонить каждую пару контактов в обоих направлениях. Так выполняется шесть измерений:

  • соединение «база-коллектор» должно проводить электрический ток в одном направлении;
  • соединение «база-эмиттер» проводит электрический ток в одном направлении;
  • соединение «эмиттер-коллектор» не проводит электрический ток в любом направлении.

Как прозванивать мультиметром транзисторы, проводимость которых p-n-p (стрелка эмиттерного перехода направлена к базе)? Для этого необходимо черным щупом прикоснуться к базе, а красным поочередно касаться эмиттерного и коллекторного переходов. Если они исправны, то на экране тестера будет отображаться прямое сопротивление 500-1200 Ом.

Для проверки обратного сопротивления красным щупом следует прикоснуться к базе, а черным поочередно к выводам эмиттера и коллектора. Теперь прибор должен показать на обоих переходах большое значение сопротивления, отобразив на экране «1». Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден.

Такая методика позволяет решить вопрос: как проверить мультиметром транзистор, не выпаивая его из платы. Это возможно благодаря тому, что переходы устройства не зашунтированы низкоомными резисторами. Однако, если в ходе замеров тестер будет показывать слишком маленькие значения прямого и обратного сопротивления эммитерного и коллекторного переходов, транзистор придется выпаять из схемы.

Перед тем как проверить мультиметром n-p-n транзистор (стрелка эмиттерного перехода направлена от базы), красный щуп тестера для определения прямого сопротивления подключается к базе. Работоспособность устройства проверяется таким же методом, что и транзистор с проводимостью p-n-p.

О неисправности транзистора свидетельствует обрыв одного из переходов, где обнаружено большое значение прямого или обратного сопротивления. Если это значение равно 0, переход находится в обрыве и транзистор неисправен.

Такая методика подходит исключительно для биполярных транзисторов. Поэтому перед проверкой необходимо убедиться, не относиться ли он к составному или полевому устройству. Далее необходимо проверить между эмиттером и коллектором сопротивление. Замыканий здесь быть не должно.

Если для сборки электрической схемы необходимо использовать транзистор, имеющий приближенный по величине тока коэффициент усиления, с помощью тестера можно определить необходимый элемент. Для этого тестер переводится в режим hFE. Транзистор подключается в соответствующий для конкретного типа устройства разъем, расположенный на приборе. На экране мультиметра должна отобразиться величина параметра h31.

Как проверить мультиметром тиристор? Он оснащен тремя p-n переходами, чем отличается от биполярного транзистора. Здесь структуры чередуются между собой на манер зебры. Главных отличием его от транзистора является то, что режим после попадания управляющего импульса остается неизменным. Тиристор будет оставаться открытым до того момента, пока ток в нем не упадет до определенного значения, которое называется током удержания. Использование тиристора позволяет собирать более экономичные электросхемы.

Мультиметр выставляется на шкалу измерения сопротивления в диапазон 2000 Ом. Для открытия тиристора черный щуп присоединяется к катоду, а красный к аноду. Следует помнить, что тиристор может открываться положительным и отрицательным импульсом. Поэтому в обоих случаях сопротивление устройства будет меньше 1. Тиристор остается открытым, если ток управляющего сигнала превышает порог удержания. Если ток меньше, то ключ закроется.

Как проверить мультиметром транзистор IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) является трехэлектродным силовым полупроводниковым прибором, в котором по принципу каскадного включения соединены два транзистора в одной структуре: полевой и биполярный. Первый образует канал управления, а второй – силовой канал.

Чтобы проверить транзистор, мультиметр необходимо перевести в режим проверки полупроводников. После этого при помощи щупов измерить сопротивление между эмиттером и затвором в прямом и обратном направлении для выявления замыкания.

Теперь красный провод прибора соединить с эмиттером, а черным коснуться кратковременно затвора. Произойдет заряд затвора отрицательным напряжением, что позволит транзистору оставаться закрытым.

Важно! Если транзистор оснащен встроенным встречно-параллельным диодом, который анодом подключен к эмиттеру транзистора, а катодом к коллектору, то его необходимо прозвонить соответствующим образом.

Теперь необходимо убедиться в функциональности транзистора. Сначала стоит зарядить положительным напряжением входную емкость затвор-эмиттер. С этой целью одновременно и кратковременно красным щупом следует прикоснуться к затвору, а черным к эмиттеру. Теперь необходимо проверить переход коллектор-эмиттер, подключив черный щуп к эмиттеру, а красный к коллектору. На экране мультиметра должно отобразиться незначительное падение напряжения в 0,5-1,5 В. Эта величина на протяжении нескольких секунд должна оставаться стабильной. Это свидетельствует о том, что во входной емкости транзистора утечки нет.

Полезный совет! Если напряжения мультиметра недостаточно для открытия IGBT транзистора, тогда для заряда его входной емкости можно использовать источник постоянного напряжения в 9-15 В.

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления.

Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства. Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору.

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p . Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс (+ ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс (+ ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный ) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω , буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503 . Он имеет структуру n-p-n . Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка , поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С ), эмиттер (Э или англ.- Е ), база (Б или англ.- В ).

Сначала подключаем красный (+ ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении . В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1 ». Если на дисплее единица «1 », то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1 », что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении .

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1 ». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1 ». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

    Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

    Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

    Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал .

Facebook

Twitter

Вконтакте

Google+

Операционные системы

Транзистор fgh50n60 как проверить — Мастер Фломастер

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор (узнать, годен ли он) можно даже без мультиметра.
Простейшая схема для проверки IGBT транзистора не содержит дефицитных или дорогостоящих деталей.
Но прежде чем её собирать, откройте datasheet (документ с техническим описанием) конкретной модели IGBT транзистора и внимательно посмотрите на соответствие реальных выводов схематическим. Иными словами, вы должны точно знать, где у IGBT транзистора вывод затвора (обозначается буквой G – Gate), вывод эмиттера (E –Emitter) и вывод коллектора (С – Collector).
На рисунке пример для IGBT транзистора FGH60N60SFD

Обратите внимание, что один из выводов мощных транзисторов обычно соединен с корпусом – именно поэтому, чтобы не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют специальными термостойкими прокладками.

Чтобы проверить IGBT транзистор, важно знать, как его правильно подключить! Обратите внимание на полярность!

1. В правом (по схеме) положении тумблера IGBT транзистор открыт (лампочка светится, если он исправен).
2. В левом — IGBT транзистор закрыт (лампочка НЕ светится, если он исправен).
Поклацайте тумблером туда-сюда.
Если лампочка не светится – транзистор не пропускает ток. Вероятно, из-за отсутствия контакта внутри корпуса или неправильно собранной схемы!
Если лампочка светится постоянно – внутри транзистора произошло короткое замыкание! Такой IGBT транзистор лучше сразу выбросить – при его случайной установке в схему в ней фактически произойдет короткое замыкание, и «полетят» другие детали!
Как видите, проверить IGBT транзистор легко даже без мультиметра.

Купить IGBT транзисторы по самым низким ценам можно —> здесь

В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

Как проверить igbt транзистор мультиметром

Средства и системы защиты источников питания. Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT затвором и истоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях. Шаг 2.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить IGBT транзистор Легко и просто

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?


Средства и системы защиты источников питания. Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT затвором и истоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Шаг 2. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между коллектором и эмиттером IGBT истоком и стоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Перед этим необходимо перемычкой закоротить выводы затвора и эмиттера транзистора. Но лучше будет не закорачивать затвор и эмиттер транзистора, а просто зарядить входную емкость затвор-эмиттер отрицательным напряжением.

Если транзистор имеет такой диод, то последний должен соответствующим образом прозвониться между эмиттером и коллектором транзистора. Шаг 3. Теперь убедимся в функциональности транзистора.

Для этого необходимо зарядить входную емкость затвор-эмиттер положительным напряжением. На переходе коллектор-эмиттер должно падать небольшое напряжение величиной 0,5—1,5 В. Меньшее значение напряжения соответствует низковольтным транзисторам, а большее высоковольтным. Величина падения напряжения должна быть стабильной, по крайней мере, в течение нескольких секунд, что говорит об отсутствии утечки входной емкости транзистора.

В этом случае входную емкость транзистора можно зарядить от источника постоянного напряжения величиной 9—15 В. Зарядку лучше производить через резистор величиной 1—2 кОм.

Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Копирование материалов сайта возможно только с указанием ссылки на первоисточник — сайт meandr. Обратная связь. Добавить комментарий Отменить ответ Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.

Translation Русский English. Полезный совет Весьма прочное соединение получается при пайке никеля и проводов из сплавов высокого сопротивления, которые при применении обычных флюсов нельзя паять.

При пайке с этим флюсом предварительное облуживание проводников или детали не требуется. Флюс состоит из 73 мл спирта ректификат или сырец , 20 г канифоли, 5 г солянокислого анилина, 2 г триэтаноламина. Триэтаноламин можно заменить 20 каплями раствора аммиака нашатырного спирта. Канифоль растворяют в 50 мл спирта, а в остатках спирта 23 мл растворяют солянокислый анилин.

Оба раствора смешивают и добавляют триэтаноламин. Факт Электричество играет важную роль в здоровье человека. Мышечные клетки в сердца сокращаются и производят электроэнергию. Электрокардиограмма ЭКГ измеряет ритм сердца благодаря этим импульсам.


Как проверить транзистор мультиметром без выпайки

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода , причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника. Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора , а другой диод выводами базы и эмиттера.

А вот относительно перемаркера и его проверки при максимальном . А в импульсном режиме обычным мультиметром уже ничего не измеришь. Нужен простыми средствами, к сожалению, IGBT транзисторы не исследовать.

IGBT транзисторы. Устройство и работа. Параметры и применение

Мультиметр — это измерительный прибор, объединябщий в себе несколько различных функций. С помощью него можно измерить напряжение, электрический ток и сопротивление устройства. Она и показывает изменения. Устройство является более современным. С помощью тестера мультиметра можно проверить работоспособность любого технического оборудования. Сам по себе трансформатор — это сложное устройство, которое необходимо для преобразования электрического тока и напряжения. На сердечник магнитного типа наматывают входной и несколько выходных обмоток.

Как проверить мультиметром

Средства и системы защиты источников питания. Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT затвором и истоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях. Шаг 2. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между коллектором и эмиттером IGBT истоком и стоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Сообщения без ответов Активные темы.

Please turn JavaScript on and reload the page.

Электрика и электрооборудование, электротехника и электроника — информация! В настоящее время в электронике имеют большую популярность IGBT транзисторы. Если расшифровать эту аббревиатуру с английского языка, то это биполярный транзистор с изолированным затвором. Он применяется в виде электронного мощного ключа для систем управления приводами механизмов, в источниках питания. Этот силовой транзистор сочетает в себе свойства биполярного и полевого транзистора.

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор узнать, годен ли он можно даже без мультиметра. Но прежде чем её собирать, откройте datasheet документ с техническим описанием конкретной модели IGBT транзистора и внимательно посмотрите на соответствие реальных выводов схематическим. Обратите внимание, что один из выводов мощных транзисторов обычно соединен с корпусом — именно поэтому, чтобы не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют специальными термостойкими прокладками. Чтобы проверить IGBT транзистор, важно знать, как его правильно подключить! Обратите внимание на полярность! В правом по схеме положении тумблера IGBT транзистор открыт лампочка светится, если он исправен. Поклацайте тумблером туда-сюда.

Порядок проверки IGBT и MOSFET такой. Но лучше будет не закорачивать затвор и эмиттер транзистора, а просто зарядить Иногда напряжения мультиметра может не хватить для того чтобы полностью.

Как прозвонить IGBT транзистор?

Как проверить транзистор мультиметром. Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности.

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники. Описанная схема предназначена для n —канального полевика, p — канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов.

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы.

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья. Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные. Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор.

Как проверить igbt транзистор мультиметром Sdelai-sam. IGBT транзистор. Что это и в чем его отличие от других.


Igbt транзистор как проверить

Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы. Баллончик Cramolin CD-Cleaner. Раствор для ультразвуковой ванны. Как проверить работоспособность TDAA?


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как просто проверить IGBT транзистор

Как проверить igbt модуль


Download link:. У радиолюбителей могут храниться транзисторы, добытые из старенькой материнской платы. На рисунке 1 показано схематичное устройство транзисторов и их условные графические обозначения.

Другими словами можно не опасаясь спалить транзистор подавать непосредственно на базу без ограничительного резистора напряжение. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Козалось бы под замену. Отличие состоит в том, что в п. Для увлечения потерь эти приборы в основном работают в ключевом режиме. Перед тем, как определить режим работы в биполярных триодах, нужно разобраться, чем схема проверки igbt транзисторов отличаются друг от друга. Составной транзистор Дарлингтона компонуется из пары стандартны транзисторов, объединённых кристаллом и общим защитным покрытием. Не могли бы вы объяснить зачем это сделано. Там в pdf пальце дана структурная схема этого транзистора.

Здесь можно дать только самые общие рекомендации для ремонта без наличия схемы. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В. В настоящее время в основном они, кремниевые, и применяются, и в этом нет ничего удивительного. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Power Electronics — Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден. Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем не перегружая теорией , как проверить работоспособность различных типов транзисторов npn, pnp, полярных и составных пользуясь тестером или мультиметром.

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание даташит на тематических сайтах.

С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D кстати, довольно распространенный случай. Найдя в интернете спецификацию ее фрагмент показан на рисунке 2 , мы получаем всю необходимую для тестирования информацию. Фрагмент спецификации на 2SD Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы. Проверка биполярного транзистора мультиметром Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ, КТ и т.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой см. Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления достаточно установить предел 2кОм , и приступаем к тестированию. Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.

Показания должны быть в том же диапазоне. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента. Проверка работоспособности полевого транзистора Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами.

На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах. Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание. Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную. Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор IGBT , тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC, относящийся к этому классу.

IGBT транзистор SC Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

Подключать его нужно через сопротивление Ом. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТА, где отображена эквивалентная схема его устройства. Эквивалентная схема транзистора КТА Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена. Как проверить однопереходной транзистор В качестве примера приведем КТ, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8. Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы? Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов.

К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением. Схема проверки igbt транзисторов.


IGBT транзистор – биполярный транзистор с изолированным затвором

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы. Хотя в последнее время выпускаемые элементы отличаются надёжностью, но всё же нарушения в работе электронных устройств могут привести к повреждению полупроводника. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, необязательно выпаивать его из схемы, но для получения точных результатов лучше это сделать. Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа. Они выпускаются с тремя и более выводами.

Пользователь Николай Ножкин задал вопрос в категории Техника и получил на него 2 ответа.

Как проверить igbt модуль

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники. Описанная схема предназначена для n —канального полевика, p — канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов. Для проверки полевого транзистора, также можно использовать небольшие схемы, к которым подключается полевик. Такой метод даст быструю и точную диагностику. Но если нет необходимости в частых проверках полевика или лень возиться со схемой, то описанная методика проверки полевого транзистора мультиметром будет отличным решением поставленной задачи. Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов , также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных. Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором , гибридный тип, где МОП МДП транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении.

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Средства и системы защиты источников питания.

IGBT транзисторы. Устройство и работа. Параметры и применение

IGBT-транзистор обозначается: или. Говорят, что IGBT-транзистор можно проверить мультиметром. Мой мультиметр показал во всех случаях одно и то же. Такая проверка меня лично ни в чём не убедила. Или он не должен открываться? Судя по результатам проверки, мой транзистор не имеет внутреннего замыкания.

Схема проверки igbt транзисторов

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор узнать, годен ли он можно даже без мультиметра. Но прежде чем её собирать, откройте datasheet документ с техническим описанием конкретной модели IGBT транзистора и внимательно посмотрите на соответствие реальных выводов схематическим. Обратите внимание, что один из выводов мощных транзисторов обычно соединен с корпусом — именно поэтому, чтобы не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют специальными термостойкими прокладками. Чтобы проверить IGBT транзистор, важно знать, как его правильно подключить! Обратите внимание на полярность!

Перед проверкой IGBT-транзистора желательно посмотреть Говорят, что IGBT-транзистор можно проверить мультиметром.

IGBT транзистор.Как его проверить и собрать его простейший аналог.

Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность. Вход Регистрация.

Запросить склады. Перейти к новому. Как проверить IGBT-транзистор,где купить или чем заменить? Здравствуйте уважаемые! Помогите разобратся с проблеммой.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах.

Оглавление: Как проверить полевой транзистор мультиметром? Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов , также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных. Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором , гибридный тип, где МОП МДП транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении. Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов — стиральных , посудомоечных машин , миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования. Само собой, что-то из всего этого разнообразия иногда выходит из строя и появляется необходимость выявления конкретной неисправности.

Как проверить igbt транзистор мультиметром Sdelai-sam. IGBT транзистор. Что это и в чем его отличие от других. Как его проверить и сделать его аналог.


Как тестировать БТИЗ (INS045E)

Как тестировать БТИЗ (INS045E)

IGBT широко используются в преобразователях частоты, регуляторах мощности, коммутируемых источниках и преобразователях постоянного тока. Эти компоненты имеют гибридные характеристики, с изолированным затвором, как у полевого МОП-транзистора, и переходами между коллектором и эмиттером, как у биполярного транзистора.

Одним из наиболее распространенных испытаний IGBT является динамическое испытание с зарядкой лампы мощностью от 40 до 100 Вт в ее коллекторе и питанием цепи напряжением до 100 В постоянного тока.

При соединении затвора с эмиттером транзистора он должен оставаться в разрезе и при этом лампа не горит.

Подключив затвор к коллектору (что нужно сделать с резистором 10 кОм), транзистор насытится и лампа загорится. Эта динамическая процедура показана на рисунке 1.

 

Рис. 1. Динамические испытания IGBT

 

 

Если лампа продолжает гореть, оба IGBT закорочены, а если она не горит, IGBT открыт.Читатель должен знать о максимальном напряжении, которое может быть приложено между затвором и эмиттером транзистора, которое обычно составляет 20 В.

Если испытание проводится при более высоких напряжениях, напряжение, подаваемое на затвор, всегда должно быть меньше 20 В.

Однако аналогичный тест можно провести с помощью аналогового мультиметра и даже с некоторыми типами цифровых мультиметров, которые имеют достаточное тестовое напряжение, чтобы насытить его при размещении на шкалах резисторов или тесте диодов.

Для этой цели мы можем сначала выполнить тест на короткое замыкание, как показано на рисунке 2.

 

Рисунок 2. Тестирование с помощью измерителя

 

 

Сначала мы измерили сопротивление между выводами затвора и коллектора, а затем между затвором и эмиттером.

В обоих измерениях у нас должны быть показания высоких сопротивлений. Под высоким сопротивлением мы подразумеваем значения выше 10 МОм.

Если какое-либо из измерений показывает низкое сопротивление или даже среднее значение (от 10 кОм до 1 МОм), IGBT выходит из строя из-за короткой или даже чрезмерной утечки.Если он проходит этот тест, мы измеряем сопротивление между коллектором и эмиттером.

В одном смысле он должен быть высоким, а в другом — низким, потому что мы должны учитывать защитный диод, который есть у этих компонентов, как показано на рисунке 2.

Низкое сопротивление при обоих измерениях указывает на короткое замыкание IGBT, а несколько низкое значение сопротивления там, где оно должно быть очень высоким (от 10 кОм до 1 МОм), указывает на негерметичный компонент. В обоих случаях компонент не следует использовать.

В зависимости от напряжения батареи мультиметра можно выполнить относительно простой тест переключения. Для этого воспользуемся соединением рисунка 3 с мультиметром в промежуточном диапазоне резисторов.

 

Рисунок 3. Проверка с помощью измерителя

 

 

При касании отверткой или замыкании затвора (g) и коллектора (C) транзистора он должен переключиться.

Это приведет к падению сопротивления с очень высокого значения до более низкого значения в зависимости от характеристик тестируемого IGBT и самого измерителя.

Однако необходимо учитывать, что внутренняя батарея некоторых мультиметров не имеет достаточного напряжения для обеспечения проводимости компонента.

Чтобы убедиться, что этот тест применим к имеющемуся мультиметру, было бы интересно попробовать IGBT, который, как мы знаем, находится в хорошем состоянии.

Один из способов проверки IGBT с помощью мультиметра в случае, если описанная прямая проверка невозможна, показан на рис. 4.

 

Рисунок 4 – Мультиметр и внешний источник в тесте IGBT

 

 

Аккумулятор на 9 В или даже источник большего напряжения (20 В) обеспечивает напряжение, необходимое для поляризации компонента, и, таким образом, в случае исправного компонента можно получить показания пускового тока.

 

Схема тестирования БТИЗ

Существуют простые способы проверки IGBT. Однако с помощью генератора функций и осциллографа мы можем пойти дальше и определить характеристики тестируемого компонента.

На рисунке 5 показана схема для этой цели. Эта схема подходит для большинства распространенных IGBT и проста в развертывании. Мы также можем использовать его в дидактических целях, чтобы продемонстрировать характеристики этого компонента.

 

Рисунок 5 – Тестовая схема для IGBT

 

 

 

В этой схеме осциллограф настроен на функцию B/A, т.е.е., сигналы оси Y как функция оси X, а типичная чувствительность двух осей составляет 2 В/дел.

См. Также нам понадобится блок питания на 6 В для тестов. Генератор сигналов настроен на выработку сигнала частотой 1 кГц, модулированного по амплитуде на частоте 100 Гц с глубиной 1 единица.

На рисунке 6 показан сигнал, который должен наблюдаться для исправного IGBT при моделировании, выполненном в Multisim.

 

Рис. 6. Сигнал, наблюдаемый при тестировании IGBT

 

 

Значения используемых компонентов, а также тестовые сигналы могут быть изменены в зависимости от характеристик тестируемого IGBT.

 

Проверка IGBT мультиметром в плохом или хорошем состоянии

Как проверить IGBT с помощью мультиметра, это объясняется в этой статье. Если кто-то может использовать простой мультиметр и знает, как проверить диод, он также может легко проверить IGBT. Перед тестированием обратите внимание на клеммы IGBT, они имеют клеммы G, C и E. G = вентиль, C = коллектор, E = эмиттер. Некоторые модели IGBT имеют внутренний диод, подключенный к клеммам C и E. Большой ток и большой IGBT имеют тенденцию выходить из строя из-за замыкания и размыкания, поэтому перед тестированием всего процесса вы можете сначала проверить состояние замыкания и размыкания.



                                                       Разрядите IGBT, замкнув 3 клеммы вместе. Этот образец IGBT имеет расположение клемм как G G C E (соответственно 1-2-3).

Этап проверки IGBT с помощью мультиметра.

1. Разрядите IGBT, замкнув 3 клеммы. Используйте ножки резистора или другую аналогичную металлическую проволоку. После разряда не прикасайтесь ни к одному из его выводов и в процессе проверки всегда держите его за изолированную область или черный корпус.Удалите IGBT из цепи, прежде чем проводить какие-либо испытания.

2. Проверьте клеммы C и E, используя диапазон Rx1 кОм. Прикоснитесь к щупу и прочтите измеренное значение. Переключите измерительный провод и снова считайте измеренное значение. Хороший IGBT покажет некоторое сопротивление 1 раз и ∞ 1 раз. Защищенный IGBT укажет на 0 Ом 2 раза. Открытый IGBT будет указывать на ∞          2 времени.

                                                       Хороший IGBT укажет на некоторое сопротивление 1 раз .


                                                                                             Прикоснитесь к щупу и прочтите измеренное значение. Переключите измерительный провод и снова считайте измеренное значение. Good IGBT отобразится ∞  2   раза.

4. Проверьте клеммы G и E, используя диапазон Rx10 кОм. Прикоснитесь к щупу и прочтите измеренное значение. Переключите измерительный провод и снова считайте измеренное значение.Хороший IGBT будет отображаться ∞ 2   раза.

                                   


                                                                 

                                       Проверьте клеммы G и E  , используя диапазон Rx10 кОм.

Все этапы тестирования 1 , 2 , 3–4 должны быть в хорошем состоянии, чтобы IGBT был в хорошем состоянии. Если какой-либо из 1 шагов не пройден, значит, IGBT уже неисправен.

Простой  метод проверки IGBT – это срабатывание затвора.

Разрядите IGBT, замкнув 3 клеммы. Во время тестирования не прикасайтесь ни к каким клеммам и всегда держите IGBT за черный корпус. Подсоедините меньший провод, как показано на фото, затем используйте резистор для подачи напряжения срабатывания от клеммы C к клемме G. Исправный IGBT приведет к тому, что стрелка мультиметра переместится вперед и укажет на некоторое сопротивление. затем удалите резистор (напряжение срабатывания), IGBT по-прежнему будет пропускать ток, а указатель по-прежнему будет указывать на то же положение, когда затвор срабатывает.

Соединение теста приводит к Trig Gate of Igbt


после удаления напряжения Trig, указатель по-прежнему указывает на ту же позицию (для хорошего IGBT)

Test MOSFET с цифровым и аналоговым мультиметрам

тест NPN PNP транзистор с цифровым мультиметр

Проверка диода цифровым мультиметром

Как проверить электронное устройство , Подробнее

Уловка, которая научит вас, как определить, хороший или плохой модуль IGBT-VEICHI ELECTRIC

В работе есть некоторые ситуации: поврежденный модуль IGBT должен проанализировать причину отказа, или модуль с хорошим внешним видом должен оценить, есть ли какая-либо аномалия.При отсутствии специализированного оборудования можно использовать цифровые мультиметры в качестве обычного инструмента, помогающего нам быстро идентифицировать IGBT. В настоящее время обычно используются файл диода, файл сопротивления и файл емкости мультиметра. Стоит отметить, что тестовые данные мультиметра не универсальны и могут использоваться только в качестве справочных.

Структура модуля

В качестве примера возьмем обычный модуль IGBT в корпусе 62 мм. Внутренняя часть состоит из микросхемы IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), микросхемы FWD (диода свободного хода), соединительного провода и т. д.Некоторые сильноточные модули должны быть объединены несколькими наборами микросхем. На рис. 1, 2 показан модуль производителя на 400 А:

.

Его электрическое соединение показано на рисунке 3. Верхний и нижний мосты модуля имеют 4 набора микросхем IGBT и FWD, соединенных параллельно через соединительную линию. Эквивалентный электрический символ показан на рисунке 4:

.

Методы измерения

1. Диодная напильник

С помощью файла диода можно измерить прямое падение напряжения VF обратного диода.Замкните затвор-эмиттер, соедините эмиттер с красной ручкой мультиметра, черную ручку соедините с коллектором, и нормальный модуль VF будет около 0,3 ~ 0,7 В. Если VF слишком велик, микросхема FWD или соединительный провод будут отключены. Короткое замыкание происходит в микросхеме FWD или IGBT.

Размер VF связан с прямым током IF. Как показано на рисунке ниже, существуют некоторые различия в сопротивлении и напряжении в тестовой цепи разных мультиметров, что приведет к различию результатов измерений.Поэтому это тестовое значение нельзя сравнивать с другими тестовыми значениями мультиметра. Он не может представлять данные в таблице данных. Это тестовое значение не имеет никакого другого значения. Его можно использовать только для определения того, является ли чип FWD хорошим или плохим.

2. Файл сопротивления

(1) Измерьте сопротивление между коллектором и эмиттером каждой трубки IGBT в модуле, замкните затвор-эмиттер, красная ручка мультиметра подключена к коллектору, черный индикатор подключен к эмиттеру, а нормальное сопротивление модуля значение, как правило, выше уровня мегаом.

(2) Измерьте сопротивление между затвором-эмиттером (затвор-коллектор) каждой трубки IGBT в модуле. Красный и черный щупы мультиметра подключены к затвору и эмиттеру (затвор и коллектор) соответственно, и нормальный модуль тоже показывает высокое сопротивление. Когда плата драйвера подключена к модулю, сопротивление затвор-эмиттер равно сопротивлению продувки, обычно несколько тысяч Ом.

Из-за диапазона измерения мультиметра некоторые мультиметры не могут отображать действительные значения для вышеуказанных измерений высокого сопротивления.Конечно, когда тестовое значение имеет высокий импеданс, это не означает, что модуль в порядке. Вышеупомянутый метод работы оказывает определенное влияние на определение неисправного модуля, но вероятность успеха не очень высока, и также требуется результат измерения емкости.

3. Конденсаторный файл

Измерительный механизм мультиметра настраивается на файл конденсатора, красная ручка подключается к затвору, черная ручка подключается к эмиттеру, и измеряется внутренняя емкость между затвором и эмиттером IGBT в модуле, записываются данные измерений, а затем заменяется тестовая ручка, то есть черная.Ручка счетчика подключается к воротам, красная ручка подключается к излучателю, и измеренные данные записываются. Емкость модуля варьируется от нескольких нФ до нескольких десятков нФ. Наконец, данные сравниваются с другими микросхемами IGBT в модуле, измеренными мультиметром, или с данными измерений того же производителя и того же типа модуля, и значения должны быть одинаковыми или похожими.

Во время измерения рекомендуется измерять только емкость между затвором и эмиттером.Cies в микросхеме IGBT самые большие, Ces и Coes намного меньше, чем Cies, см. рис. 6 и 7, а точность мультиметра для измерения емкости ограничена.

Дополнительно:

(1) Подобно прямому падению напряжения VF, здесь тестовое значение отличается от тестового значения условий тестирования в техническом паспорте и может использоваться только в качестве эталона для сравнения.

(2) Если плата драйвера подключена к модулю, это повлияет на результат измерения емкости, и ее следует удалить в первую очередь.

Резюме

Простая сводка цифрового мультиметра для определения качества IGBT выглядит следующим образом:

Шаг

Положение передачи

Показать результат

Результат дискриминанта

1

Диодный файл

Падение давления FWD 0,3~0,7 В

Чип FWD нормальный

Падение давления слишком мало

Чип FWD или IGBT короткое замыкание

Падение давления слишком большое

Разрыв стружки FWD или разрыв линии соединения

2

Файл сопротивления

Rce, Rge, Rgc состояние высокого сопротивления

CE, GE, GC не закорочены

Rce, Rge, Rgc Состояние низкого сопротивления

Поломка CE, GE, GC или короткое замыкание

3

Файл конденсатора

Значение Cies составляет от нескольких нФ до десятков нФ

Обычная дверь

Нет значения или отклонение контрастности

Поломка или отсоединение двери

Примечание:

1.Вышеупомянутый метод используется как метод предварительного различения, а для более точного анализа требуются специальные приборы.

2. Не прикасайтесь к электродам модуля во время измерения, чтобы избежать электростатического повреждения или помешать дальнейшему анализу неисправного модуля.
 

Как проверить IGBT с помощью мультиметра

Вы слышали о биполярных транзисторах с изолированным затвором или IGBT?

Это полупроводниковое переключающее устройство с 3 выводами, используемое для быстрого переключения с высокой эффективностью в большинстве электронных устройств.Такие инструменты широко используются в усилителях для обработки или коммутации сложных волновых структур с широтно-импульсной модуляцией или ШИМ.

Он сочетает в себе простоту управления затвором полевого МОП-транзистора и способность биполярного транзистора к низкому насыщению и высокому напряжению в одном устройстве. Видите ли, некоторые спецификации IGBT и примечания по применению от производителей компаний предлагают множество практических деталей. Однако самостоятельная навигация по этой теме может быть утомительной и сложной, особенно для начинающих проектировщиков схем.

Чтобы упростить вам задачу, IGBT — это компонент, используемый для питания большинства транспортных средств и бытовой техники. Считаете ли вы, что в вашем приборе произошло короткое замыкание? Это поможет, если вы проведете тест, чтобы определить, является ли IGBT виновником этой проблемы.

Теперь вопрос: как проверить свой IGBT? Какой лучший инструмент вы можете использовать?

Если все сделано правильно и успешно, это может уберечь вас от покупки нового прибора и замены неисправного IGBT.

Прежде чем мы углубимся в эту тему, давайте сначала разберемся, как работает IGBT и какова его структура.

Где вы обычно используете IGBT?

IGBT идеально подходит для различных целей в силовой электронике, в частности, в сервоприводах с ШИМ и трехфазных приводах, которые требуют управления с широким динамическим диапазоном и низким уровнем шума. Знаете ли вы, что его также можно использовать в ИБП (источники бесперебойного питания), SMPS (импульсные источники питания), и других силовых цепях, требующих высокой частоты повторения переключений?

Короче говоря, IGBT повысили эффективность и динамические характеристики, а также снизили уровень слышимого шума.Точно так же он подходит для преобразователей с резонансным режимом. Усовершенствованные IGBT также доступны как с низкими потерями переключения, так и с низкими потерями проводимости.

Каковы преимущества использования IGBT?

Вы найдете несколько причин, по которым использование IGBT гораздо предпочтительнее, чем BJT и Power MOSFET.

  • Имеет широкий SOA. IGBT обладает отличной проводимостью тока, в отличие от биполярных транзисторов. Он также обладает первоклассными навыками блокировки вперед и назад.
  • БТИЗ имеют низкую мощность возбуждения и простую схему возбуждения из-за структуры входного МОП-транзистора. Следовательно, его можно легко регулировать, в отличие от устройств управления током (таких как BJT, тиристор) в приложениях с высоким током и высоким напряжением.
  • В конечном счете, IGBT имеет низкое падение напряжения в открытом состоянии из-за его модуляции проводимости и имеет превосходную плотность тока в открытом состоянии. Следовательно, меньший размер чипа, скорее всего, возможен, и стоимость может быть значительно снижена.

Видите ли, IGBT идеально подходят для увеличения напряжения блокировки. Когда мы говорим о Power MOSFET, сопротивление во включенном состоянии резко возрастает с напряжением пробоя. Это связано с увеличением удельного сопротивления и толщины зоны дрейфа, необходимой для поддержания высокого рабочего напряжения.

При этом обычно предотвращается расширение мощностных полевых МОП-транзисторов с большим током и высоким блокирующим напряжением. Наоборот, для IGBT сопротивление области дрейфа существенно снижается из-за высокой концентрации инжектированных неосновных носителей по всей проводимости тока в открытом состоянии.

Кроме того, передний спад из области дрейфа становится зависимым от ее толщины и независимым от ее начального удельного сопротивления.

Важность тестирования IGBT

Вы должны быть очень внимательны и осторожны при тестировании IGBT. Помните, что подача слишком большого напряжения или тепла на этот компонент может представлять большой риск и привести к необратимому повреждению прибора.

Чтобы точно и правильно протестировать IGBT, выполните следующие действия: 

  1. Сначала отключите прибор от сети.Последнее, что вы хотели бы, это быть убитым током, верно?
  1. Найдите IGBT в схеме. Отнеситесь к этому шагу очень серьезно и всегда будьте осторожны. IGBT представляет собой белый или черный схемный блок с двумя-шестью разъемами сверху и двумя разъемами сбоку. Помните, что расположение на печатной плате зависит от устройства.
  1. Отсоедините IGBT от вашего устройства. Это можно сделать, открутив четыре винта по углам. Чтобы гарантировать безопасность, не выполняйте никаких тестовых действий, пока все электронные соединения не будут отключены от IGBT.
  1. Всегда проверяйте подключение защитного диода с помощью мультиметра в режиме проверки диодов.
  1. Возьмите красный провод мультиметра и подключите его к черному проводу вашего IGBT. Это терминал эмиттера. Клемма IGBT оснащена функциональным защитным диодом, если показания цифрового вольтметра находятся в диапазоне от 0,2 до 0,8.
  1. Возьмите мультиметр и установите его в режим сопротивления. Подключите его к эмиттеру IGBT (черный провод). Ваше устройство показывает что-либо, кроме бесконечного чтения? Это явный признак того, что у вас закорочен IGBT.Это также называется тестом затворного оксида.
  1. Возьмите тестер IGBT, чтобы проверить его работоспособность, подключив его к выводам коллектора, затвора и эмиттера IGBT. Затвор расположен сбоку устройства, ближе к излучателю. Между тем коллекция находится на противоположной стороне. Это должны быть все три провода на вашем устройстве.
  1. Нажмите кнопку тестирования на цифровом мультиметре и посмотрите, горит ли индикатор проводимости. Если у него нет света, возможно, ваш IGBT неисправен.
  1. Вы можете поменять местами выводы эмиттера и коллектора, чтобы убедиться, что защитный диод не мешает. Но мы рекомендуем вам не нажимать кнопку тестирования. IGBT имеет рабочий производственный диод, если преобразование выводов приводит к включению кондуктивного света.

Заключительные мысли

Как видите, проверка и тестирование IGBT с помощью цифрового мультиметра не должны быть сложными и сложными, особенно для таких новичков, как вы.Просто выполните основные шаги, упомянутые в этом посте, и все готово.

Мы надеемся, что вы узнали что-то полезное и информативное из этого поста. Не стесняйтесь поделиться этим с другими, которые имеют те же проблемы, что и вы.

Как тестировать блоки IGBT — тест цифрового мультиметра и тест лампы

Как тестировать модули IGBT Brick с помощью мультиметра (DMM) и тестировать IGBT с помощью лампы и батареи.

Тест

IGBT с помощью цифрового мультиметра полезен, когда модуль IGBT нельзя легко удалить или изолировать.Проверка лампы и батареи, когда IGBT можно удалить или изолировать. Схемы смотрите в конце видео.

Эти блоки IGBT пришли из неисправного привода лифта, см. видео здесь: https://www.kevingittemeier.com/teardown-kone-v3f25-elevator-drive/

Нажмите здесь, чтобы подписаться на наш канал на Youtube: http://goo.gl/DDfVab
https://www.youtube.com/user/KGittemeier

 

 

 

Тест лампы батареи IGBT:

– Соединить лампу последовательно с батареей 12 В и полярностью IGBT соответственно.

– Минус батареи к Е, Плюс батареи к лампе, другая сторона лампы к С.

– Коснитесь плюса аккумулятора и ворот, чтобы включить.

— Коснитесь минуса батареи и ворот, чтобы выключить.

* Сначала обратите внимание на сенсорную батарею, так как IBGT чувствительны к электростатическому разряду и могут быть повреждены.

 

Процедура тестирования цифрового мультиметра (DMM) IGBT:

Проверка соединения коллектор-эмиттер:

– При отключенном модуле удалите проводящую пену и замкните затвор на эмиттер.

— Если цифровой мультиметр находится в режиме проверки диодов, то между коллектором и эмиттером должно быть нормальное показание диода с положительным значением на эмиттере и отрицательным на коллекторе.

— Цифровой мультиметр должен считывать значение «открыто» или «бесконечно» с плюсом на коллекторе и минусом на эмиттере. Поврежденные IGBT могут быть закорочены как в положительном, так и в отрицательном направлении, открыты в обоих направлениях или резистивны в обоих направлениях.

– Проверка затвора: при работе цифрового мультиметра в режиме сопротивления сопротивление от затвора до коллектора и от затвора до эмиттера должно быть бесконечным на исправном устройстве.Поврежденное устройство может быть закорочено или иметь резистивную утечку от затвора к коллектору и/или эмиттеру.

Ознакомьтесь с этим удобным оборудованием и инструментами для тестирования электроники на Amazon. Тестер многофункционального измерителя DIY Kit: https://amzn.to/2KvanIk
Atlas DCA55 Semiconductor Tester: https://amzn.to/2MC395F
Peak Electronic Design: https://amzn.к/2КуйгЗ

Цифровой осциллограф Rigor

: https://amzn.to/2ICP5Xa

Настольный блок питания 0–50 В постоянного тока: https://amzn.to/2yWir3s

Wera Kraftform 70 Набор из 32 предметов: https://amzn.to/2MBZXqH
Wera Kraftform Compact 25: https://amzn.to/2IE6DSO

 

См. также:

 

 

Как тестировать БТИЗ

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, используемый в качестве бесшумного высокоскоростного электронного переключателя; один терминал — «Эмиттер», второй — «Коллектор», а третий — «Ворота».Эти устройства идеально подходят для современного оборудования, такого как холодильники с регулируемой скоростью, стереосистемы с переключающими усилителями, электромобили, поезда и многие другие однофазные или трехфазные устройства. Благодаря сверхнизкому напряжению IGBT могут иметь размеры от спичечного коробка до плоского кирпича. Проверить IGBT довольно просто.

1

БТИЗ с одинарным затвором

Подсоедините одну клемму 12-вольтовой лампы к положительной клемме 12-вольтовой батареи, а другую клемму к клемме коллектора, отмеченной буквой «С» на одиночном блоке БТИЗ.

Подсоедините отрицательную клемму 12-вольтовой батареи непосредственно к клемме эмиттера, отмеченной буквой «Е» на БТИЗ.

Проверка последовательности включения. Сначала коснитесь положительной клеммы на аккумуляторе одним пальцем, а затем коснитесь меньшей клеммы, отмеченной буквой «G» для ворот, другим пальцем. Это включит свет.

  • Подсоедините одну клемму 12-вольтовой лампы к положительной клемме 12-вольтовой батареи, а другую клемму к клемме коллектора, отмеченной буквой «С» на одном блоке IGBT.
  • Сначала одним пальцем коснитесь положительной клеммы аккумулятора, а затем другим пальцем коснитесь меньшей клеммы, обозначенной буквой «G» для ворот.

Уберите оба пальца, и индикатор должен гореть. Имейте в виду, что цепь затвора чувствительна, и вы можете разрушить IGBT, если вы измените порядок, коснувшись клеммы затвора, прежде чем коснуться положительной клеммы батареи. Обратите внимание: поскольку статическое электричество, проводимое вашим телом, ничтожно мало, вы не можете его почувствовать, и оно не может причинить вам вреда.

Проверка последовательности «ВЫКЛ.». Сначала коснитесь отрицательной клеммы батареи одним пальцем, а затем другим пальцем коснитесь клеммы затвора IGBT. Свет должен погаснуть. Убедитесь, что вы не разрушите IGBT, коснувшись клеммы затвора, прежде чем коснуться отрицательной клеммы на батарее.

2

IGBT с двойным затвором

Используйте ту же тестовую лампу, что и для теста с одним затвором. Осмотрите двойные клеммы IGBT; вы заметите, что он имеет одну общую клемму эмиттера вместе с двумя клеммами коллектора, помеченными «C1» и «C2».Кроме того, на верхней стороне IGBT имеется два разъема с лепестковыми затворами, один с маркировкой «G1», а другой с маркировкой «G2».

  • Используйте ту же тестовую лампу, что и для теста с одним затвором.
  • Осмотрите двойные клеммы IGBT; вы заметите, что он имеет одну клемму с общим эмиттером, а также две клеммы коллектора, обозначенные «C1» и «C2». «Г1.»

    Проверка последовательности включения цепи «G1»: коснитесь положительной клеммы аккумулятора, а затем коснитесь лепесткового разъема «G1». Индикатор должен загореться. Опять же, не меняйте последовательность.

    Проверьте последовательность «ВЫКЛ». Коснитесь отрицательной клеммы на аккумуляторе, а затем коснитесь лепесткового разъема «G1» на IGBT. Свет должен погаснуть.

    Повторите этот тест, подключив лампу к клемме «Е2». а затем поочередно проверьте последовательность ВКЛ/ВЫКЛ через клемму «G2».

    Вы можете протестировать IGBT с несколькими затворами, повторив последовательность действий с двумя затворами. Подсоедините отрицательную клемму батареи к клемме с общим эмиттером, а затем проверьте каждую цепь C и G на нескольких IGBT.

    Независимо от того, тестируете ли вы один или несколько IGBT, если лампа загорается, как только вы подключаете IGBT к батарее, это означает, что цепь «ON» этого конкретного затвора уже заряжена, поэтому вы можете включить свет выключите и завершите проверку, сначала коснувшись отрицательной клеммы аккумулятора, а затем коснувшись клеммы эмиттера на устройстве.

    ТЕСТИРОВАНИЕ БТИЗ – ModuleGeek

    ТЕСТИРОВАНИЕ БТИЗ

    Устройства IGBT большинства производителей проходят 100% проверку перед отправкой и гарантируют соответствие опубликованным параметрическим данным. Как правило, мы не рекомендуем повторное тестирование пользователем из-за возможности повреждения устройства. Если необходимо оценить электрические характеристики IGBT, могут быть выполнены следующие испытания:

    Общие требования:

    • Всегда используйте процедуры безопасного обращения со статическим электричеством (ESD) и заменяйте токопроводящий пенопласт затвора-излучателя после тестирования.

    • Никогда не подключайте разъем к эмиттеру с напряжением, превышающим номинал VCES IGBT, и никогда не подключайте затвор к эмиттеру с напряжением выше, чем номинальное значение VGES IGBT. При использовании анализатора характеристик повышайте и понижайте напряжение для каждого теста.

    • Никогда не подавайте напряжение выше 20 В на коллектор-эмиттер при открытой клемме затвора.

    • Избегайте теплового удара. Никогда не кладите холодное устройство на предварительно нагретую конфорку. Температура не должна повышаться более чем на 10 градусов С/мин.Процедура проверки цифрового мультиметра (DMM):

    • Требования к оборудованию – цифровой мультиметр с режимом проверки диодов и напряжением батареи менее 20 В. (Обычные устройства, использующие батарею 9 В, в порядке).

    • Проверка соединения коллектор-эмиттер:

    1. При отключенном модуле удалите проводящую пену и замкните затвор на эмиттер.

    2. Если цифровой мультиметр находится в режиме проверки диодов, то между коллектором и эмиттером должно быть нормальное показание диода с положительным значением на эмиттере и отрицательным на коллекторе.

    3. Цифровой мультиметр должен считывать значение «открыто» или «бесконечно» с плюсом на коллекторе и минусом на эмиттере. Поврежденные IGBT могут быть закорочены как в положительном, так и в отрицательном направлении, открыты в обоих направлениях или резистивны в обоих направлениях.

    • Тест на оксид затвора: если цифровой мультиметр находится в режиме сопротивления, сопротивление между затвором и коллектором и затвором и эмиттером должно быть бесконечным на исправном устройстве. Поврежденное устройство может быть закорочено или иметь резистивную утечку от затвора к коллектору и/или эмиттеру.

    Процедура тестирования прибора для измерения характеристик (для испытаний № 1 и № 2 требуется мощный прибор для измерения характеристик, такой как Tektronix 371A): 

    1.