Как проверить igbt: Как проверить IGBT транзистор мультиметром | Энергофиксик

Транзистор fgh50n60 как проверить — Мастер Фломастер

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор (узнать, годен ли он) можно даже без мультиметра.
Простейшая схема для проверки IGBT транзистора не содержит дефицитных или дорогостоящих деталей.
Но прежде чем её собирать, откройте datasheet (документ с техническим описанием) конкретной модели IGBT транзистора и внимательно посмотрите на соответствие реальных выводов схематическим. Иными словами, вы должны точно знать, где у IGBT транзистора вывод затвора (обозначается буквой G – Gate), вывод эмиттера (E –Emitter) и вывод коллектора (С – Collector).
На рисунке пример для IGBT транзистора FGH60N60SFD

Обратите внимание, что один из выводов мощных транзисторов обычно соединен с корпусом – именно поэтому, чтобы не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют специальными термостойкими прокладками.

Чтобы проверить IGBT транзистор, важно знать, как его правильно подключить! Обратите внимание на полярность!

1. В правом (по схеме) положении тумблера IGBT транзистор открыт (лампочка светится, если он исправен).
2. В левом — IGBT транзистор закрыт (лампочка НЕ светится, если он исправен).
Поклацайте тумблером туда-сюда.
Если лампочка не светится – транзистор не пропускает ток. Вероятно, из-за отсутствия контакта внутри корпуса или неправильно собранной схемы!
Если лампочка светится постоянно – внутри транзистора произошло короткое замыкание! Такой IGBT транзистор лучше сразу выбросить – при его случайной установке в схему в ней фактически произойдет короткое замыкание, и «полетят» другие детали!
Как видите, проверить IGBT транзистор легко даже без мультиметра.

Купить IGBT транзисторы по самым низким ценам можно —> здесь

В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

Как проверить igbt транзистор мультиметром

Средства и системы защиты источников питания. Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT затвором и истоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях. Шаг 2.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

Средства и системы защиты источников питания. Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT затвором и истоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Шаг 2. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между коллектором и эмиттером IGBT истоком и стоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Перед этим необходимо перемычкой закоротить выводы затвора и эмиттера транзистора. Но лучше будет не закорачивать затвор и эмиттер транзистора, а просто зарядить входную емкость затвор-эмиттер отрицательным напряжением.

Если транзистор имеет такой диод, то последний должен соответствующим образом прозвониться между эмиттером и коллектором транзистора. Шаг 3. Теперь убедимся в функциональности транзистора.

Для этого необходимо зарядить входную емкость затвор-эмиттер положительным напряжением. На переходе коллектор-эмиттер должно падать небольшое напряжение величиной 0,5—1,5 В. Меньшее значение напряжения соответствует низковольтным транзисторам, а большее высоковольтным. Величина падения напряжения должна быть стабильной, по крайней мере, в течение нескольких секунд, что говорит об отсутствии утечки входной емкости транзистора.

В этом случае входную емкость транзистора можно зарядить от источника постоянного напряжения величиной 9—15 В. Зарядку лучше производить через резистор величиной 1—2 кОм.

Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Копирование материалов сайта возможно только с указанием ссылки на первоисточник — сайт meandr. Обратная связь. Добавить комментарий Отменить ответ Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.

Translation Русский English. Полезный совет Весьма прочное соединение получается при пайке никеля и проводов из сплавов высокого сопротивления, которые при применении обычных флюсов нельзя паять.

При пайке с этим флюсом предварительное облуживание проводников или детали не требуется. Флюс состоит из 73 мл спирта ректификат или сырец , 20 г канифоли, 5 г солянокислого анилина, 2 г триэтаноламина. Триэтаноламин можно заменить 20 каплями раствора аммиака нашатырного спирта. Канифоль растворяют в 50 мл спирта, а в остатках спирта 23 мл растворяют солянокислый анилин.

Оба раствора смешивают и добавляют триэтаноламин. Факт Электричество играет важную роль в здоровье человека. Мышечные клетки в сердца сокращаются и производят электроэнергию. Электрокардиограмма ЭКГ измеряет ритм сердца благодаря этим импульсам.

Как проверить транзистор мультиметром без выпайки

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода , причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника. Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора , а другой диод выводами базы и эмиттера.

А вот относительно перемаркера и его проверки при максимальном . А в импульсном режиме обычным мультиметром уже ничего не измеришь. Нужен простыми средствами, к сожалению, IGBT транзисторы не исследовать.

IGBT транзисторы. Устройство и работа. Параметры и применение

Мультиметр — это измерительный прибор, объединябщий в себе несколько различных функций. С помощью него можно измерить напряжение, электрический ток и сопротивление устройства. Она и показывает изменения. Устройство является более современным. С помощью тестера мультиметра можно проверить работоспособность любого технического оборудования. Сам по себе трансформатор — это сложное устройство, которое необходимо для преобразования электрического тока и напряжения. На сердечник магнитного типа наматывают входной и несколько выходных обмоток.

Как проверить мультиметром

Средства и системы защиты источников питания. Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT затвором и истоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях. Шаг 2. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между коллектором и эмиттером IGBT истоком и стоком MOSFET , прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Сообщения без ответов Активные темы.

Please turn JavaScript on and reload the page.

Электрика и электрооборудование, электротехника и электроника — информация! В настоящее время в электронике имеют большую популярность IGBT транзисторы. Если расшифровать эту аббревиатуру с английского языка, то это биполярный транзистор с изолированным затвором. Он применяется в виде электронного мощного ключа для систем управления приводами механизмов, в источниках питания. Этот силовой транзистор сочетает в себе свойства биполярного и полевого транзистора.

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор узнать, годен ли он можно даже без мультиметра. Но прежде чем её собирать, откройте datasheet документ с техническим описанием конкретной модели IGBT транзистора и внимательно посмотрите на соответствие реальных выводов схематическим. Обратите внимание, что один из выводов мощных транзисторов обычно соединен с корпусом — именно поэтому, чтобы не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют специальными термостойкими прокладками. Чтобы проверить IGBT транзистор, важно знать, как его правильно подключить! Обратите внимание на полярность! В правом по схеме положении тумблера IGBT транзистор открыт лампочка светится, если он исправен. Поклацайте тумблером туда-сюда.

Порядок проверки IGBT и MOSFET такой. Но лучше будет не закорачивать затвор и эмиттер транзистора, а просто зарядить Иногда напряжения мультиметра может не хватить для того чтобы полностью.

Как прозвонить IGBT транзистор?

Как проверить транзистор мультиметром. Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности.

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники. Описанная схема предназначена для n —канального полевика, p — канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов.

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы.

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья. Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные. Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор.

Как проверить igbt транзистор мультиметром Sdelai-sam. IGBT транзистор. Что это и в чем его отличие от других.

Igbt транзистор как проверить

Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы. Баллончик Cramolin CD-Cleaner. Раствор для ультразвуковой ванны. Как проверить работоспособность TDAA?

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

Как проверить igbt модуль

Download link:. У радиолюбителей могут храниться транзисторы, добытые из старенькой материнской платы. На рисунке 1 показано схематичное устройство транзисторов и их условные графические обозначения.

Другими словами можно не опасаясь спалить транзистор подавать непосредственно на базу без ограничительного резистора напряжение. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Козалось бы под замену. Отличие состоит в том, что в п. Для увлечения потерь эти приборы в основном работают в ключевом режиме. Перед тем, как определить режим работы в биполярных триодах, нужно разобраться, чем схема проверки igbt транзисторов отличаются друг от друга. Составной транзистор Дарлингтона компонуется из пары стандартны транзисторов, объединённых кристаллом и общим защитным покрытием. Не могли бы вы объяснить зачем это сделано. Там в pdf пальце дана структурная схема этого транзистора.

Здесь можно дать только самые общие рекомендации для ремонта без наличия схемы. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В. В настоящее время в основном они, кремниевые, и применяются, и в этом нет ничего удивительного. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Power Electronics — Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден. Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем не перегружая теорией , как проверить работоспособность различных типов транзисторов npn, pnp, полярных и составных пользуясь тестером или мультиметром.

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание даташит на тематических сайтах.

С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D кстати, довольно распространенный случай. Найдя в интернете спецификацию ее фрагмент показан на рисунке 2 , мы получаем всю необходимую для тестирования информацию. Фрагмент спецификации на 2SD Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы. Проверка биполярного транзистора мультиметром Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ, КТ и т.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой см. Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления достаточно установить предел 2кОм , и приступаем к тестированию. Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.

Показания должны быть в том же диапазоне. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента. Проверка работоспособности полевого транзистора Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами.

На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах. Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание. Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную. Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор IGBT , тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC, относящийся к этому классу.

IGBT транзистор SC Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

Подключать его нужно через сопротивление Ом. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТА, где отображена эквивалентная схема его устройства. Эквивалентная схема транзистора КТА Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена. Как проверить однопереходной транзистор В качестве примера приведем КТ, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8. Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы? Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов.

К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением. Схема проверки igbt транзисторов.

IGBT транзистор – биполярный транзистор с изолированным затвором

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы. Хотя в последнее время выпускаемые элементы отличаются надёжностью, но всё же нарушения в работе электронных устройств могут привести к повреждению полупроводника. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, необязательно выпаивать его из схемы, но для получения точных результатов лучше это сделать. Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа. Они выпускаются с тремя и более выводами.

Пользователь Николай Ножкин задал вопрос в категории Техника и получил на него 2 ответа.

Как проверить igbt модуль

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники. Описанная схема предназначена для n —канального полевика, p — канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов. Для проверки полевого транзистора, также можно использовать небольшие схемы, к которым подключается полевик. Такой метод даст быструю и точную диагностику. Но если нет необходимости в частых проверках полевика или лень возиться со схемой, то описанная методика проверки полевого транзистора мультиметром будет отличным решением поставленной задачи. Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов , также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных. Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором , гибридный тип, где МОП МДП транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении.

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Средства и системы защиты источников питания.

IGBT транзисторы. Устройство и работа. Параметры и применение

IGBT-транзистор обозначается: или. Говорят, что IGBT-транзистор можно проверить мультиметром. Мой мультиметр показал во всех случаях одно и то же. Такая проверка меня лично ни в чём не убедила. Или он не должен открываться? Судя по результатам проверки, мой транзистор не имеет внутреннего замыкания.

Схема проверки igbt транзисторов

Знаете ли вы, что проверить IGBT транзистор узнать, годен ли он можно даже без мультиметра. Но прежде чем её собирать, откройте datasheet документ с техническим описанием конкретной модели IGBT транзистора и внимательно посмотрите на соответствие реальных выводов схематическим. Обратите внимание, что один из выводов мощных транзисторов обычно соединен с корпусом — именно поэтому, чтобы не допустить замыканий, корпуса транзисторов перед монтажом изолируют специальными термостойкими прокладками. Чтобы проверить IGBT транзистор, важно знать, как его правильно подключить! Обратите внимание на полярность!

Перед проверкой IGBT-транзистора желательно посмотреть Говорят, что IGBT-транзистор можно проверить мультиметром.

IGBT транзистор.Как его проверить и собрать его простейший аналог.

Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность. Вход Регистрация.

Запросить склады. Перейти к новому. Как проверить IGBT-транзистор,где купить или чем заменить? Здравствуйте уважаемые! Помогите разобратся с проблеммой.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах.

Оглавление: Как проверить полевой транзистор мультиметром? Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов , также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных. Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором , гибридный тип, где МОП МДП транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении. Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов — стиральных , посудомоечных машин , миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования. Само собой, что-то из всего этого разнообразия иногда выходит из строя и появляется необходимость выявления конкретной неисправности.

Как проверить igbt транзистор мультиметром Sdelai-sam. IGBT транзистор. Что это и в чем его отличие от других. Как его проверить и сделать его аналог.

Как тестировать БТИЗ (INS045E)

Как тестировать БТИЗ (INS045E)

IGBT широко используются в преобразователях частоты, регуляторах мощности, коммутируемых источниках и преобразователях постоянного тока. Эти компоненты имеют гибридные характеристики, с изолированным затвором, как у полевого МОП-транзистора, и переходами между коллектором и эмиттером, как у биполярного транзистора.

Одним из наиболее распространенных испытаний IGBT является динамическое испытание с зарядкой лампы мощностью от 40 до 100 Вт в ее коллекторе и питанием цепи напряжением до 100 В постоянного тока.

При соединении затвора с эмиттером транзистора он должен оставаться в разрезе и при этом лампа не горит.

Подключив затвор к коллектору (что нужно сделать с резистором 10 кОм), транзистор насытится и лампа загорится. Эта динамическая процедура показана на рисунке 1.

Рис. 1. Динамические испытания IGBT

Если лампа продолжает гореть, оба IGBT закорочены, а если она не горит, IGBT открыт.Читатель должен знать о максимальном напряжении, которое может быть приложено между затвором и эмиттером транзистора, которое обычно составляет 20 В.

Если испытание проводится при более высоких напряжениях, напряжение, подаваемое на затвор, всегда должно быть меньше 20 В.

Однако аналогичный тест можно провести с помощью аналогового мультиметра и даже с некоторыми типами цифровых мультиметров, которые имеют достаточное тестовое напряжение, чтобы насытить его при размещении на шкалах резисторов или тесте диодов.

Для этой цели мы можем сначала выполнить тест на короткое замыкание, как показано на рисунке 2.

Рисунок 2. Тестирование с помощью измерителя

Сначала мы измерили сопротивление между выводами затвора и коллектора, а затем между затвором и эмиттером.

В обоих измерениях у нас должны быть показания высоких сопротивлений. Под высоким сопротивлением мы подразумеваем значения выше 10 МОм.

Если какое-либо из измерений показывает низкое сопротивление или даже среднее значение (от 10 кОм до 1 МОм), IGBT выходит из строя из-за короткой или даже чрезмерной утечки.Если он проходит этот тест, мы измеряем сопротивление между коллектором и эмиттером.

В одном смысле он должен быть высоким, а в другом — низким, потому что мы должны учитывать защитный диод, который есть у этих компонентов, как показано на рисунке 2.

Низкое сопротивление при обоих измерениях указывает на короткое замыкание IGBT, а несколько низкое значение сопротивления там, где оно должно быть очень высоким (от 10 кОм до 1 МОм), указывает на негерметичный компонент. В обоих случаях компонент не следует использовать.

В зависимости от напряжения батареи мультиметра можно выполнить относительно простой тест переключения. Для этого воспользуемся соединением рисунка 3 с мультиметром в промежуточном диапазоне резисторов.

Рисунок 3. Проверка с помощью измерителя

При касании отверткой или замыкании затвора (g) и коллектора (C) транзистора он должен переключиться.

Это приведет к падению сопротивления с очень высокого значения до более низкого значения в зависимости от характеристик тестируемого IGBT и самого измерителя.

Однако необходимо учитывать, что внутренняя батарея некоторых мультиметров не имеет достаточного напряжения для обеспечения проводимости компонента.

Чтобы убедиться, что этот тест применим к имеющемуся мультиметру, было бы интересно попробовать IGBT, который, как мы знаем, находится в хорошем состоянии.

Один из способов проверки IGBT с помощью мультиметра в случае, если описанная прямая проверка невозможна, показан на рис. 4.

Рисунок 4 – Мультиметр и внешний источник в тесте IGBT

Аккумулятор на 9 В или даже источник большего напряжения (20 В) обеспечивает напряжение, необходимое для поляризации компонента, и, таким образом, в случае исправного компонента можно получить показания пускового тока.

Схема тестирования БТИЗ

Существуют простые способы проверки IGBT. Однако с помощью генератора функций и осциллографа мы можем пойти дальше и определить характеристики тестируемого компонента.

На рисунке 5 показана схема для этой цели. Эта схема подходит для большинства распространенных IGBT и проста в развертывании. Мы также можем использовать его в дидактических целях, чтобы продемонстрировать характеристики этого компонента.

Рисунок 5 – Тестовая схема для IGBT

В этой схеме осциллограф настроен на функцию B/A, т.е.е., сигналы оси Y как функция оси X, а типичная чувствительность двух осей составляет 2 В/дел.

См. Также нам понадобится блок питания на 6 В для тестов. Генератор сигналов настроен на выработку сигнала частотой 1 кГц, модулированного по амплитуде на частоте 100 Гц с глубиной 1 единица.

На рисунке 6 показан сигнал, который должен наблюдаться для исправного IGBT при моделировании, выполненном в Multisim.

Рис. 6. Сигнал, наблюдаемый при тестировании IGBT

Значения используемых компонентов, а также тестовые сигналы могут быть изменены в зависимости от характеристик тестируемого IGBT.

Проверка IGBT мультиметром в плохом или хорошем состоянии

Как проверить IGBT с помощью мультиметра, это объясняется в этой статье. Если кто-то может использовать простой мультиметр и знает, как проверить диод, он также может легко проверить IGBT. Перед тестированием обратите внимание на клеммы IGBT, они имеют клеммы G, C и E. G = вентиль, C = коллектор, E = эмиттер. Некоторые модели IGBT имеют внутренний диод, подключенный к клеммам C и E. Большой ток и большой IGBT имеют тенденцию выходить из строя из-за замыкания и размыкания, поэтому перед тестированием всего процесса вы можете сначала проверить состояние замыкания и размыкания.

Этап проверки IGBT с помощью мультиметра.

1. Разрядите IGBT, замкнув 3 клеммы. Используйте ножки резистора или другую аналогичную металлическую проволоку. После разряда не прикасайтесь ни к одному из его выводов и в процессе проверки всегда держите его за изолированную область или черный корпус.Удалите IGBT из цепи, прежде чем проводить какие-либо испытания.

2. Проверьте клеммы C и E, используя диапазон Rx1 кОм. Прикоснитесь к щупу и прочтите измеренное значение. Переключите измерительный провод и снова считайте измеренное значение. Хороший IGBT покажет некоторое сопротивление 1 раз и ∞ 1 раз. Защищенный IGBT укажет на 0 Ом 2 раза. Открытый IGBT будет указывать на ∞          2 времени.

                                                       Хороший IGBT укажет на некоторое сопротивление 1 раз .

4. Проверьте клеммы G и E, используя диапазон Rx10 кОм. Прикоснитесь к щупу и прочтите измеренное значение. Переключите измерительный провод и снова считайте измеренное значение.Хороший IGBT будет отображаться ∞ 2   раза.

                                       Проверьте клеммы G и E  , используя диапазон Rx10 кОм.

Все этапы тестирования 1 , 2 , 3–4 должны быть в хорошем состоянии, чтобы IGBT был в хорошем состоянии. Если какой-либо из 1 шагов не пройден, значит, IGBT уже неисправен.

Простой  метод проверки IGBT – это срабатывание затвора.

Разрядите IGBT, замкнув 3 клеммы. Во время тестирования не прикасайтесь ни к каким клеммам и всегда держите IGBT за черный корпус. Подсоедините меньший провод, как показано на фото, затем используйте резистор для подачи напряжения срабатывания от клеммы C к клемме G. Исправный IGBT приведет к тому, что стрелка мультиметра переместится вперед и укажет на некоторое сопротивление. затем удалите резистор (напряжение срабатывания), IGBT по-прежнему будет пропускать ток, а указатель по-прежнему будет указывать на то же положение, когда затвор срабатывает.

Соединение теста приводит к Trig Gate of Igbt

после удаления напряжения Trig, указатель по-прежнему указывает на ту же позицию (для хорошего IGBT)

Test MOSFET с цифровым и аналоговым мультиметрам

тест NPN PNP транзистор с цифровым мультиметр

Проверка диода цифровым мультиметром

Как проверить электронное устройство , Подробнее

Уловка, которая научит вас, как определить, хороший или плохой модуль IGBT-VEICHI ELECTRIC

В работе есть некоторые ситуации: поврежденный модуль IGBT должен проанализировать причину отказа, или модуль с хорошим внешним видом должен оценить, есть ли какая-либо аномалия.При отсутствии специализированного оборудования можно использовать цифровые мультиметры в качестве обычного инструмента, помогающего нам быстро идентифицировать IGBT. В настоящее время обычно используются файл диода, файл сопротивления и файл емкости мультиметра. Стоит отметить, что тестовые данные мультиметра не универсальны и могут использоваться только в качестве справочных.

Структура модуля

В качестве примера возьмем обычный модуль IGBT в корпусе 62 мм. Внутренняя часть состоит из микросхемы IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), микросхемы FWD (диода свободного хода), соединительного провода и т. д.Некоторые сильноточные модули должны быть объединены несколькими наборами микросхем. На рис. 1, 2 показан модуль производителя на 400 А:

Его электрическое соединение показано на рисунке 3. Верхний и нижний мосты модуля имеют 4 набора микросхем IGBT и FWD, соединенных параллельно через соединительную линию. Эквивалентный электрический символ показан на рисунке 4:

Методы измерения

1. Диодная напильник

С помощью файла диода можно измерить прямое падение напряжения VF обратного диода.Замкните затвор-эмиттер, соедините эмиттер с красной ручкой мультиметра, черную ручку соедините с коллектором, и нормальный модуль VF будет около 0,3 ~ 0,7 В. Если VF слишком велик, микросхема FWD или соединительный провод будут отключены. Короткое замыкание происходит в микросхеме FWD или IGBT.

Размер VF связан с прямым током IF. Как показано на рисунке ниже, существуют некоторые различия в сопротивлении и напряжении в тестовой цепи разных мультиметров, что приведет к различию результатов измерений.Поэтому это тестовое значение нельзя сравнивать с другими тестовыми значениями мультиметра. Он не может представлять данные в таблице данных. Это тестовое значение не имеет никакого другого значения. Его можно использовать только для определения того, является ли чип FWD хорошим или плохим.

2. Файл сопротивления

(1) Измерьте сопротивление между коллектором и эмиттером каждой трубки IGBT в модуле, замкните затвор-эмиттер, красная ручка мультиметра подключена к коллектору, черный индикатор подключен к эмиттеру, а нормальное сопротивление модуля значение, как правило, выше уровня мегаом.

(2) Измерьте сопротивление между затвором-эмиттером (затвор-коллектор) каждой трубки IGBT в модуле. Красный и черный щупы мультиметра подключены к затвору и эмиттеру (затвор и коллектор) соответственно, и нормальный модуль тоже показывает высокое сопротивление. Когда плата драйвера подключена к модулю, сопротивление затвор-эмиттер равно сопротивлению продувки, обычно несколько тысяч Ом.

Из-за диапазона измерения мультиметра некоторые мультиметры не могут отображать действительные значения для вышеуказанных измерений высокого сопротивления.Конечно, когда тестовое значение имеет высокий импеданс, это не означает, что модуль в порядке. Вышеупомянутый метод работы оказывает определенное влияние на определение неисправного модуля, но вероятность успеха не очень высока, и также требуется результат измерения емкости.

3. Конденсаторный файл

Измерительный механизм мультиметра настраивается на файл конденсатора, красная ручка подключается к затвору, черная ручка подключается к эмиттеру, и измеряется внутренняя емкость между затвором и эмиттером IGBT в модуле, записываются данные измерений, а затем заменяется тестовая ручка, то есть черная.Ручка счетчика подключается к воротам, красная ручка подключается к излучателю, и измеренные данные записываются. Емкость модуля варьируется от нескольких нФ до нескольких десятков нФ. Наконец, данные сравниваются с другими микросхемами IGBT в модуле, измеренными мультиметром, или с данными измерений того же производителя и того же типа модуля, и значения должны быть одинаковыми или похожими.

Во время измерения рекомендуется измерять только емкость между затвором и эмиттером.Cies в микросхеме IGBT самые большие, Ces и Coes намного меньше, чем Cies, см. рис. 6 и 7, а точность мультиметра для измерения емкости ограничена.

Дополнительно:

(1) Подобно прямому падению напряжения VF, здесь тестовое значение отличается от тестового значения условий тестирования в техническом паспорте и может использоваться только в качестве эталона для сравнения.

(2) Если плата драйвера подключена к модулю, это повлияет на результат измерения емкости, и ее следует удалить в первую очередь.

Резюме

Простая сводка цифрового мультиметра для определения качества IGBT выглядит следующим образом:

Примечание:

1.Вышеупомянутый метод используется как метод предварительного различения, а для более точного анализа требуются специальные приборы.

2. Не прикасайтесь к электродам модуля во время измерения, чтобы избежать электростатического повреждения или помешать дальнейшему анализу неисправного модуля.
 

Как проверить IGBT с помощью мультиметра

Вы слышали о биполярных транзисторах с изолированным затвором или IGBT?

Это полупроводниковое переключающее устройство с 3 выводами, используемое для быстрого переключения с высокой эффективностью в большинстве электронных устройств.Такие инструменты широко используются в усилителях для обработки или коммутации сложных волновых структур с широтно-импульсной модуляцией или ШИМ.

Он сочетает в себе простоту управления затвором полевого МОП-транзистора и способность биполярного транзистора к низкому насыщению и высокому напряжению в одном устройстве. Видите ли, некоторые спецификации IGBT и примечания по применению от производителей компаний предлагают множество практических деталей. Однако самостоятельная навигация по этой теме может быть утомительной и сложной, особенно для начинающих проектировщиков схем.

Чтобы упростить вам задачу, IGBT — это компонент, используемый для питания большинства транспортных средств и бытовой техники. Считаете ли вы, что в вашем приборе произошло короткое замыкание? Это поможет, если вы проведете тест, чтобы определить, является ли IGBT виновником этой проблемы.

Теперь вопрос: как проверить свой IGBT? Какой лучший инструмент вы можете использовать?

Если все сделано правильно и успешно, это может уберечь вас от покупки нового прибора и замены неисправного IGBT.

Прежде чем мы углубимся в эту тему, давайте сначала разберемся, как работает IGBT и какова его структура.

IGBT идеально подходит для различных целей в силовой электронике, в частности, в сервоприводах с ШИМ и трехфазных приводах, которые требуют управления с широким динамическим диапазоном и низким уровнем шума. Знаете ли вы, что его также можно использовать в ИБП (источники бесперебойного питания), SMPS (импульсные источники питания), и других силовых цепях, требующих высокой частоты повторения переключений?

Короче говоря, IGBT повысили эффективность и динамические характеристики, а также снизили уровень слышимого шума.Точно так же он подходит для преобразователей с резонансным режимом. Усовершенствованные IGBT также доступны как с низкими потерями переключения, так и с низкими потерями проводимости.

Вы найдете несколько причин, по которым использование IGBT гораздо предпочтительнее, чем BJT и Power MOSFET.

• Имеет широкий SOA. IGBT обладает отличной проводимостью тока, в отличие от биполярных транзисторов. Он также обладает первоклассными навыками блокировки вперед и назад.

• БТИЗ имеют низкую мощность возбуждения и простую схему возбуждения из-за структуры входного МОП-транзистора. Следовательно, его можно легко регулировать, в отличие от устройств управления током (таких как BJT, тиристор) в приложениях с высоким током и высоким напряжением.

• В конечном счете, IGBT имеет низкое падение напряжения в открытом состоянии из-за его модуляции проводимости и имеет превосходную плотность тока в открытом состоянии. Следовательно, меньший размер чипа, скорее всего, возможен, и стоимость может быть значительно снижена.

Видите ли, IGBT идеально подходят для увеличения напряжения блокировки. Когда мы говорим о Power MOSFET, сопротивление во включенном состоянии резко возрастает с напряжением пробоя. Это связано с увеличением удельного сопротивления и толщины зоны дрейфа, необходимой для поддержания высокого рабочего напряжения.

При этом обычно предотвращается расширение мощностных полевых МОП-транзисторов с большим током и высоким блокирующим напряжением. Наоборот, для IGBT сопротивление области дрейфа существенно снижается из-за высокой концентрации инжектированных неосновных носителей по всей проводимости тока в открытом состоянии.

Кроме того, передний спад из области дрейфа становится зависимым от ее толщины и независимым от ее начального удельного сопротивления.

Вы должны быть очень внимательны и осторожны при тестировании IGBT. Помните, что подача слишком большого напряжения или тепла на этот компонент может представлять большой риск и привести к необратимому повреждению прибора.

Чтобы точно и правильно протестировать IGBT, выполните следующие действия: 

1. Сначала отключите прибор от сети.Последнее, что вы хотели бы, это быть убитым током, верно?

2. Найдите IGBT в схеме. Отнеситесь к этому шагу очень серьезно и всегда будьте осторожны. IGBT представляет собой белый или черный схемный блок с двумя-шестью разъемами сверху и двумя разъемами сбоку. Помните, что расположение на печатной плате зависит от устройства.

3. Отсоедините IGBT от вашего устройства. Это можно сделать, открутив четыре винта по углам. Чтобы гарантировать безопасность, не выполняйте никаких тестовых действий, пока все электронные соединения не будут отключены от IGBT.

4. Всегда проверяйте подключение защитного диода с помощью мультиметра в режиме проверки диодов.

5. Возьмите красный провод мультиметра и подключите его к черному проводу вашего IGBT. Это терминал эмиттера. Клемма IGBT оснащена функциональным защитным диодом, если показания цифрового вольтметра находятся в диапазоне от 0,2 до 0,8.

6. Возьмите мультиметр и установите его в режим сопротивления. Подключите его к эмиттеру IGBT (черный провод). Ваше устройство показывает что-либо, кроме бесконечного чтения? Это явный признак того, что у вас закорочен IGBT.Это также называется тестом затворного оксида.

7. Возьмите тестер IGBT, чтобы проверить его работоспособность, подключив его к выводам коллектора, затвора и эмиттера IGBT. Затвор расположен сбоку устройства, ближе к излучателю. Между тем коллекция находится на противоположной стороне. Это должны быть все три провода на вашем устройстве.

8. Нажмите кнопку тестирования на цифровом мультиметре и посмотрите, горит ли индикатор проводимости. Если у него нет света, возможно, ваш IGBT неисправен.

9. Вы можете поменять местами выводы эмиттера и коллектора, чтобы убедиться, что защитный диод не мешает. Но мы рекомендуем вам не нажимать кнопку тестирования. IGBT имеет рабочий производственный диод, если преобразование выводов приводит к включению кондуктивного света.

Как видите, проверка и тестирование IGBT с помощью цифрового мультиметра не должны быть сложными и сложными, особенно для таких новичков, как вы.Просто выполните основные шаги, упомянутые в этом посте, и все готово.

Мы надеемся, что вы узнали что-то полезное и информативное из этого поста. Не стесняйтесь поделиться этим с другими, которые имеют те же проблемы, что и вы.

Как тестировать блоки IGBT — тест цифрового мультиметра и тест лампы

Как тестировать модули IGBT Brick с помощью мультиметра (DMM) и тестировать IGBT с помощью лампы и батареи.

IGBT с помощью цифрового мультиметра полезен, когда модуль IGBT нельзя легко удалить или изолировать.Проверка лампы и батареи, когда IGBT можно удалить или изолировать. Схемы смотрите в конце видео.

Эти блоки IGBT пришли из неисправного привода лифта, см. видео здесь: https://www.kevingittemeier.com/teardown-kone-v3f25-elevator-drive/

Нажмите здесь, чтобы подписаться на наш канал на Youtube: http://goo.gl/DDfVab
https://www.youtube.com/user/KGittemeier

Тест лампы батареи IGBT:

– Соединить лампу последовательно с батареей 12 В и полярностью IGBT соответственно.

– Минус батареи к Е, Плюс батареи к лампе, другая сторона лампы к С.

– Коснитесь плюса аккумулятора и ворот, чтобы включить.

— Коснитесь минуса батареи и ворот, чтобы выключить.

* Сначала обратите внимание на сенсорную батарею, так как IBGT чувствительны к электростатическому разряду и могут быть повреждены.

Процедура тестирования цифрового мультиметра (DMM) IGBT:

Проверка соединения коллектор-эмиттер:

– При отключенном модуле удалите проводящую пену и замкните затвор на эмиттер.

— Если цифровой мультиметр находится в режиме проверки диодов, то между коллектором и эмиттером должно быть нормальное показание диода с положительным значением на эмиттере и отрицательным на коллекторе.

— Цифровой мультиметр должен считывать значение «открыто» или «бесконечно» с плюсом на коллекторе и минусом на эмиттере. Поврежденные IGBT могут быть закорочены как в положительном, так и в отрицательном направлении, открыты в обоих направлениях или резистивны в обоих направлениях.

– Проверка затвора: при работе цифрового мультиметра в режиме сопротивления сопротивление от затвора до коллектора и от затвора до эмиттера должно быть бесконечным на исправном устройстве.Поврежденное устройство может быть закорочено или иметь резистивную утечку от затвора к коллектору и/или эмиттеру.

Ознакомьтесь с этим удобным оборудованием и инструментами для тестирования электроники на Amazon. Тестер многофункционального измерителя DIY Kit: https://amzn.to/2KvanIk
Atlas DCA55 Semiconductor Tester: https://amzn.to/2MC395F
Peak Electronic Design: https://amzn.к/2КуйгЗ

: https://amzn.to/2ICP5Xa

Настольный блок питания 0–50 В постоянного тока: https://amzn.to/2yWir3s

Wera Kraftform 70 Набор из 32 предметов: https://amzn.to/2MBZXqH
Wera Kraftform Compact 25: https://amzn.to/2IE6DSO

См. также:

Как тестировать БТИЗ

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, используемый в качестве бесшумного высокоскоростного электронного переключателя; один терминал — «Эмиттер», второй — «Коллектор», а третий — «Ворота».Эти устройства идеально подходят для современного оборудования, такого как холодильники с регулируемой скоростью, стереосистемы с переключающими усилителями, электромобили, поезда и многие другие однофазные или трехфазные устройства. Благодаря сверхнизкому напряжению IGBT могут иметь размеры от спичечного коробка до плоского кирпича. Проверить IGBT довольно просто.

1

БТИЗ с одинарным затвором

Подсоедините одну клемму 12-вольтовой лампы к положительной клемме 12-вольтовой батареи, а другую клемму к клемме коллектора, отмеченной буквой «С» на одиночном блоке БТИЗ.

Подсоедините отрицательную клемму 12-вольтовой батареи непосредственно к клемме эмиттера, отмеченной буквой «Е» на БТИЗ.

Проверка последовательности включения. Сначала коснитесь положительной клеммы на аккумуляторе одним пальцем, а затем коснитесь меньшей клеммы, отмеченной буквой «G» для ворот, другим пальцем. Это включит свет.

• Подсоедините одну клемму 12-вольтовой лампы к положительной клемме 12-вольтовой батареи, а другую клемму к клемме коллектора, отмеченной буквой «С» на одном блоке IGBT.
  
• Сначала одним пальцем коснитесь положительной клеммы аккумулятора, а затем другим пальцем коснитесь меньшей клеммы, обозначенной буквой «G» для ворот.

Уберите оба пальца, и индикатор должен гореть. Имейте в виду, что цепь затвора чувствительна, и вы можете разрушить IGBT, если вы измените порядок, коснувшись клеммы затвора, прежде чем коснуться положительной клеммы батареи. Обратите внимание: поскольку статическое электричество, проводимое вашим телом, ничтожно мало, вы не можете его почувствовать, и оно не может причинить вам вреда.

Проверка последовательности «ВЫКЛ.». Сначала коснитесь отрицательной клеммы батареи одним пальцем, а затем другим пальцем коснитесь клеммы затвора IGBT. Свет должен погаснуть. Убедитесь, что вы не разрушите IGBT, коснувшись клеммы затвора, прежде чем коснуться отрицательной клеммы на батарее.

2

IGBT с двойным затвором

Используйте ту же тестовую лампу, что и для теста с одним затвором. Осмотрите двойные клеммы IGBT; вы заметите, что он имеет одну общую клемму эмиттера вместе с двумя клеммами коллектора, помеченными «C1» и «C2».Кроме того, на верхней стороне IGBT имеется два разъема с лепестковыми затворами, один с маркировкой «G1», а другой с маркировкой «G2».

• Используйте ту же тестовую лампу, что и для теста с одним затвором.
  
• Осмотрите двойные клеммы IGBT; вы заметите, что он имеет одну клемму с общим эмиттером, а также две клеммы коллектора, обозначенные «C1» и «C2». «Г1.»

  Проверка последовательности включения цепи «G1»: коснитесь положительной клеммы аккумулятора, а затем коснитесь лепесткового разъема «G1». Индикатор должен загореться. Опять же, не меняйте последовательность.

  Проверьте последовательность «ВЫКЛ». Коснитесь отрицательной клеммы на аккумуляторе, а затем коснитесь лепесткового разъема «G1» на IGBT. Свет должен погаснуть.

  Повторите этот тест, подключив лампу к клемме «Е2». а затем поочередно проверьте последовательность ВКЛ/ВЫКЛ через клемму «G2».

  Вы можете протестировать IGBT с несколькими затворами, повторив последовательность действий с двумя затворами. Подсоедините отрицательную клемму батареи к клемме с общим эмиттером, а затем проверьте каждую цепь C и G на нескольких IGBT.

  Независимо от того, тестируете ли вы один или несколько IGBT, если лампа загорается, как только вы подключаете IGBT к батарее, это означает, что цепь «ON» этого конкретного затвора уже заряжена, поэтому вы можете включить свет выключите и завершите проверку, сначала коснувшись отрицательной клеммы аккумулятора, а затем коснувшись клеммы эмиттера на устройстве.

  ТЕСТИРОВАНИЕ БТИЗ – ModuleGeek

  ТЕСТИРОВАНИЕ БТИЗ

  Устройства IGBT большинства производителей проходят 100% проверку перед отправкой и гарантируют соответствие опубликованным параметрическим данным. Как правило, мы не рекомендуем повторное тестирование пользователем из-за возможности повреждения устройства. Если необходимо оценить электрические характеристики IGBT, могут быть выполнены следующие испытания:

  Общие требования:

  • Всегда используйте процедуры безопасного обращения со статическим электричеством (ESD) и заменяйте токопроводящий пенопласт затвора-излучателя после тестирования.

  • Никогда не подключайте разъем к эмиттеру с напряжением, превышающим номинал VCES IGBT, и никогда не подключайте затвор к эмиттеру с напряжением выше, чем номинальное значение VGES IGBT. При использовании анализатора характеристик повышайте и понижайте напряжение для каждого теста.

  • Никогда не подавайте напряжение выше 20 В на коллектор-эмиттер при открытой клемме затвора.

  • Избегайте теплового удара. Никогда не кладите холодное устройство на предварительно нагретую конфорку. Температура не должна повышаться более чем на 10 градусов С/мин.Процедура проверки цифрового мультиметра (DMM):

  • Требования к оборудованию – цифровой мультиметр с режимом проверки диодов и напряжением батареи менее 20 В. (Обычные устройства, использующие батарею 9 В, в порядке).

  • Проверка соединения коллектор-эмиттер:

  1. При отключенном модуле удалите проводящую пену и замкните затвор на эмиттер.

  2. Если цифровой мультиметр находится в режиме проверки диодов, то между коллектором и эмиттером должно быть нормальное показание диода с положительным значением на эмиттере и отрицательным на коллекторе.

  3. Цифровой мультиметр должен считывать значение «открыто» или «бесконечно» с плюсом на коллекторе и минусом на эмиттере. Поврежденные IGBT могут быть закорочены как в положительном, так и в отрицательном направлении, открыты в обоих направлениях или резистивны в обоих направлениях.

  • Тест на оксид затвора: если цифровой мультиметр находится в режиме сопротивления, сопротивление между затвором и коллектором и затвором и эмиттером должно быть бесконечным на исправном устройстве. Поврежденное устройство может быть закорочено или иметь резистивную утечку от затвора к коллектору и/или эмиттеру.

  Процедура тестирования прибора для измерения характеристик (для испытаний № 1 и № 2 требуется мощный прибор для измерения характеристик, такой как Tektronix 371A): 

  1.